FOTODIODA Fotodioda jest zbudowana podobnie jak zwykła dioda krzemowa. Różnica jest w obudowie, gdyż znajduje się tam soczewka płaska lub wypukła, umożliwiająca oświetlenie jednego z obszarów złącza. Fotodiody wykonuje się z krzemu lub arsenku galu. Fotodiodę można traktować jako
Główne tematy i zagadnienia poruszane na wykładzie UKŁADY ELEKTRONICZNE (można je traktować jako pytania) W1 – Podstawowe elementy bierne w elektronice 1. Rezystor – rodzaje, podstawowe parametry, model zastępczy. 2. Kondensator – podstawowe parametry, model zastępczy. 3. Cewka – podstawowe p...
1. Rezystor o oznaczeniu liczbowym 682: 68*10^2 2. Szereg E24 (np) oznacza wartość tolerancji rezystancji lub pojemności równą: E3 - 40% E6 - 20 % E12 -10% E24 - 5% E48 - 2% E96 - 1% E192 - 0,5% 3.Parametr kondensatora ESR (ESL) mówi o wartości jego pasożytniczej: ESR (equivalent series r...
s ZESTAW PYTAŃ DO EGZAMINU Z „UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH I” Wielkosygnałowy model Schichmana - Hodgesa tranzystora MOSFET - charakterystyki statyczne: wyjściowe i przejściowe. Zdefiniować i porównać na
Laboratorium analogowych układów elektronicznych Temat: Wzmacniacz napięciowy z tranzystorem bipolarnym Ocena: Konspekt: Założenia projektowe: Tranzystor BC107B Rg = 3,4[kΩ] R0= 4,7[kΩ] kus0 = 70±5 [V/V] fd(3 dB) = 100±10[Hz] β = 260[A/A] Um, wy min = 1,6[V] UCC= UBB1 = 15[V] UEE = UBB2...
Wzmacniacz OE - projektowanie dla zadanego punktu pracy i wzmocnienia opracowanie: Arkadiusz Tyran 1. Wstęp: Punkt pracy jest to wartość spoczynkowego prądu kolektora ICQ i napięcia UCE Do wyznaczenia wartości rezystorów ustalających PP po...
s ZESTAW PYTAŃ DO EGZAMINU Z „UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH I” Wielkosygnałowy model Schichmana - Hodgesa tranzystora MOSFET - charakterystyki statyczne: wyjściowe i przejściowe. Zdefiniować i porównać na
Wzmacniacz OE - projektowanie dla zadanego punktu pracy i wzmocnienia opracowanie: Arkadiusz Tyran 1. Wstęp: Punkt pracy jest to wartość spoczynkowego prądu kolektora ICQ i napięcia UCE Do wyznaczenia wartości rezystorów ustalających PP po...
ZESTAW PYTAŃ DO EGZAMINU Z „ANALOGOWYCH UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH I” Wielkosygnałowy model Schichmana - Hodgesa tranzystora MOSFET - charakterystyki statyczne: wyjściowe i przejściowe. Zdefiniować i porównać na
WZMACNIACZ NIEODWRACAJĄCY Rys. 10.10. Schemat wzmacniacza nieodwracającego. Sygnał wejściowy jest podawany na wejście nieodwracające wzmacniacza operacyjnego. Według procedury: ; ; ; ; ; napięcie na wyjściu wynosi ; (10.28) n...
