1. Rezystor o oznaczeniu liczbowym 682:
68*10^2
2. Szereg E24 (np) oznacza wartość tolerancji rezystancji lub pojemności równą:
E3 - 40%
E6 - 20 %
E12 -10%
E24 - 5%
E48 - 2%
E96 - 1%
E192 - 0,5%
3.Parametr kondensatora ESR (ESL) mówi o wartości jego pasożytniczej:
ESR (equivalent series resistance) - zastępcza rezystancja szeregowa Rs.
ESL (equivalent series inductance) - zastępcza indukcyjność szeregowa Ls i związana z nią resztkowa reaktancja indukcyjna XL=ωLs.
4.Po przekroczeniu częstotliwości rezonansowej kondensator w obwodzie elektronicznym zachowuje się jak:
Jak induktor
5.Po przekroczeniu częstotliwości rezonansowej induktor w obwodzie elektronicznym zachowuje się jak: Jak cewka
6.Efekt naskórkowy związany jest z:
Efekt naskórkowy związany jest z nierównomiernym rozkładem prądu płynącego przez przewodnik. Ze wzrostem częstotliwości największa gęstość (czasami całość) prądu występuje przy powierzchni zewnętrznej przewodu. Wtedy wzrastają straty w przewodniku. Parametrem opisującym efekt naskórkowy jest głębokość wnikania:
7.Na rys.xxx przedstawiono krzywą magnesowania materiału magnetycznego:
Wąska pętla: Ferromagnetyk miękki
Szeroka pątla histerezy :Ferromagnetyk twardy
8.Wzrost temperatury powoduje w przewodniku (półprzewodniku): Przewodniki - wzrost temp. zmniejsza przewodnictwo - większa energia drgań jonów (wzrost rezystancji)
Półprzewodniki - wzrost temp. zwiększa przewodnictwo - więcej elektronów walencyjnych się uwalnia (wzrost konduktywności)
9.Głównymi pierwiastkami wykorzystywanymi do budowy półprzewodników samoistnych są: IV grupa układu okresowego: (węgiel, krzem, german, antymonek galu, arsenek galu, itd.) 10. Półprzewodnik typu N (P) powstaje poprzez domieszkowanie pierwiastka z IV grupy układu okresowego:
N -donorowa (pierwiastkiem pięciowartościowym) -gr. V: P - fosforem, As - arsenem, Sb - antymonem, Bi -
bizmutem
P -akceptorowa (pierwiastkiem trójwartościowym)- gr. III: B - borem, Al - glinem, Ga - galem, In - indem
11.Konduktywność półprzewodnika zależy od jego:
S-przekroju l-długosci ro-rezystywności materiału
12. Prąd całkowity w półprzewodniku jest sumą:
Całkowita gęstość prądu elektronów + Całkowita gęstość prądu dziur.
13.Analizując budowę złącza PN możemy wyróżnić następujące obszary:
14. Przy polaryzacji zaporowej złącza PN, wraz ze wzrostem napięcia wzrasta:
(…)
… na ich: Rezystancja dynamiczna (10 ÷ 300Ohm)
- Minimalna dla Uz=7V5
Współczynnik temperaturowy (_5÷+15%/K)
- Zerowy dla UZ≈5V1
32.Diody tunelowe wykorzystuje się głównie do:
Dioda tunelowa wzmacnianie i generacja mikrofal
33.Diody wsteczne służą do:
- detekcja mikrofal
34.Diodę PIN stosuje się w układach elektronicznych w. cz. jako:
Zastosowania: - modulator amplitudy, klucz, tłumik
35.Dioda LED jest elementem…
…
W bezpieczniki zwłoczne - zadziałanie bezpiecznika
nastepuje po przepływie prądu większego/równego prądowi zadziałania przez określony czas; stosowane w układach gdzie występuje tzw. prądy rozruchowe, dużo większe od prądu pobieranego przez układy podczas pracy normalnej
46.Przedstawione na rys. xxx charakterystyki są charakterystykami tranzystora: (bipolarny, polowy złączowy JFET, polowy z izolowaną bramką MOSFET) 47. Zaprezentowany na rys. xx symbol przedstawia tranzystor bipolarny: (NPN, PNP)
48.Tzw. obszar SOA jest to:
???????????
49.Prąd emitera tranzystora bipolarnego jest:
????????????
50.Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora β opisuje:
51.Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego jest zależny od:
Temperatury?????????????????????
52.Temperatura wpływa na następujące parametry tranzystora bipolarnego:
????????????????????
53. Punkt pracy tranzystora bipolarnego określa:
napięcie Baza-Emiter, i napięcie Kolektor-emiter?????????????
54.Hiperbola mocy określa:
???
55. Parametry modelu małosygnałowego tranzystora bipolarnego (hybryd π) zależą głównie od:
częstotliwości???????
56. Częstotliwość (pulsacja) graniczna fT (ωT) określa częstotliwość, przy której: ????????
57…
… granicznej nazywamy polem wzmocnienia
83.Iloczyn modułu wzmocnienia dla częstotliwości średnich i górnej częstotliwości granicznej nazywamy polem wzmocnienia
Wejściowe napięcie niezrównoważenia - funkcja temperatury, czasu i napięcia zasilania: 84.Główne parametry wzmacniacza operacyjnego to:
????
85.W modelu idealnym wzmacniacza operacyjnego jego parametry mają następujące wartości:
86.Parametr SR wzmacniacza operacyjnego określa:
Szybkość narastania napięcia wyjściowego SR (ang. slew rate)
87. Zjawisko masy pozornej związane jest z:
88.Wzmocnienie wzmacniacza przedstawionego na rys. xx dane jest równaniem:
89.Wtórnik napięciowy można uzyskać przekształcając wzmacniacz nieodwracający fazę napięcia poprzez: ???
90. Na rys. xx przedstawiono układ:
OGRANICZNIK NAPIĘCIA
OGRANICZNIK NAPIĘCIA
91.Na rys. xx…
… przedstawiono charakterystykę komparatora:
Komparator z histereza(przerzutnik Schmitta) - komparator odwracajcy Komparator z histereza(przerzutnik Schmitta) - komparator nieodwracający
Komparator (dyskryminator) okienkowy:
92.Na rys. xx przedstawiono schemat stabilizatora napięcia typu:
Dioda Zenera
Stabilizator kompensacyjny
Stabilizator kompensacyjny 1
Stabilizator kompensacyjny 2
93.Zasada działania…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)