Pytania i odpowiedzi do egzaminu 31-40

Nasza ocena:

3
Pobrań: 84
Wyświetleń: 805
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Pytania i odpowiedzi do egzaminu 31-40 - strona 1 Pytania i odpowiedzi do egzaminu 31-40 - strona 2 Pytania i odpowiedzi do egzaminu 31-40 - strona 3

Fragment notatki:

31. Jak zmienia się rezystancja diody Zenera wraz ze wzrostem napięcia rewersyjnego na diodzie?
Diody stabilizacyjne (Zenera) pracują w zakresie rewersyjnym charakterystyki napięciowo - prądowej w warunkach odwracalnego przebicia elektrycznego złącza p-n o mechanizmie Zenera lub/i lawinowym. W takim bardzo cienkim złączu powstają warunki ostrego i wyraźnego przebicia wyrażającego się nagłym i znacznym wzrostem prądu przy dość niskich napięciach.
Dla punktu pracy definiujemy
rezystancję dynamiczną oraz rezystancję stałoprądową .
W miarę wzrostu napięcia rewersyjnego rezystancje najpierw są wysokie (rosną), a w momencie przebicia gwałtownie maleją (następuje nagły wzrost prądu przy niewielkiej zmianie napięcia).
32. Skąd wynikają ograniczenia prądowe diod stabilizacyjnych?
W punkcie charakterystyki, w którym prąd wynosi ograniczenie wynika z maksymalnej mocy, jaka może się wydzielić na diodzie. Dla prądu mamy do czynienia z ograniczeniem zakresu pracy diody stabilizacyjnej.
33. Jakie wartości parametrów wyróżniają dobrą diodę stabilizacyjną?
1. Współczynnik nieliniowości diody , współczynnik ten wyraża względne zmiany prądu płynącego przez diodę stabilizacyjną do wywołanych nim względnych zmian napięcia. Dla dobrych diod Zenera .
2. Dopuszczalna maksymalna temperatura złącza . Im większa ta temperatura, tym większa jest maksymalna dopuszczalna moc rozproszona , która ogranicza prądowy zakres pracy diody.
3. Materiały: diody stabilizacyjne wykonane z krzemu są bardziej odporne na przebicie cieplne niż diody germanowe.
4. Temperaturowy współczynnik względnych zmian : .
34. Jak powstaje struktura dwuzłączowa tranzystora bipolarnego?
35. Zbilansować wszystkie prądy bazy w tranzystorze bipolarnym.
Wszystkie prądy w obwodzie bazy:
- prąd rekombinacji w bazie
- prąd rekombinacji w warstwie zaporowej złącza emiter - baza
- prąd dyfuzji dziur z bazy do emitera
- prąd zerowy kolektora
36. Porównać rezystancje: wejściową i wyjściową tranzystora BJT jako dwóch niezależnych diod.
Zasada prosta: dwie diody jedna spolaryzowana przewodząco, druga zaporowo. Ta która jest przewodząco ma rezystancję około kilkunastu ohmów (emiterowa) i decyduje o rezystancji wejściowej zaś ta kolektorowa o rezystancji kilku Mohmów (tylko gdy w obwodzie emitera nie płynie prąd) decyduje o rezystancji wyjściowej. Tranzystor przekształca rezystancję wyjściową która jest duża w małą (przepływ większego prądu przy stałym napięciu).


(…)

…:
W zakresie także kolektor wstrzykuje elektrony do bazy i mówimy wtedy że tranzystor wchodzi w stan nasycenia.
38. Wyprowadź równanie kolektorowe dla konfiguracji WE z podobnego równania dla WB.
Dla wspólnej bazy (OB):
Dla wspólnego emitera (OE):
, , gdzie - stałoprądowy współczynnik wzmocnienia
prądowego w konfiguracji OE.
39. Jak za pomocą prądu bazy można zmieniać napięcie polaryzacji złącza baza-kolektor?
Suma napięć chwilowych w obwodzie kolektorowym jest stała i wynosi :
Jeżeli jest wystarczająco duże, a spadek napięcia na rezystorze dostatecznie mały, to - co oznacza polaryzację zaporową złącza B-C i stan aktywny normalny. Jeżeli zwiększymy prąd bazy oraz napięcie , to wzrośnie prąd kolektorowy , a wraz z nim także napięcie na rezystorze . Wzrost tego napięcia oznacza, zgodnie z powyższym równaniem…
… napięciu).
Jeżeli prąd kolektora wzrasta przy stałym napięciu źródła zasilania , to fizycznie oznacza, że rezystancja złącza kolektorowego dla prądu elektronowego maleje i staje się porównywalna z rezystancją złącza emiterowego. Zatem w wyniku iniekcji z emitera zachodzi transformacja rezystancji kolektora - stąd nazwa przyrządu: tranzystor.
37. Rozszerzyć użyteczność równania kolektorowego dla WB…
... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz