Pytania z egzaminów

Elementy Elektroniczne - Pytania z Egzaminów (4)
W półprzewodniku domieszkowanym typu n liczba dziur:
Zależy od temperatury
Jest równa zero
Nie zależy od temperatury
Zależy od koncentracji domieszki
Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej w kierunku przewodzenia:
Rośnie wraz ze wzrostem prądu
Maleje wraz ze wzrostem prądu
Nie zależy od prądu
Rośnie wraz ze wzrostem napięcia
W pasmowym modelu przewodnictwa przerwa energetyczna pomiędzy pasmem walencyjnym a przewodnictwa w metalach wynosi:
0eV3eV
Zależność między prądem a napięciem I=C :
Jest błędne w odniesieniu do kondensatorów
Ma zastosowania tylko dla kondensatora idealnego
Ma zastosowania tylko dla tranzystora rzeczywistego
Ma zastosowania tylko dla napięć stałych
W idealnej diodzie ze złączem p+ -n spolaryzowanej przewodząco głównym prądem złącza jest prąd związany z:
Dziurami wprowadzonymi z obszaru n do p
Dziurami wprowadzonymi z obszaru p do n
Elektronami wprowadzonymi z obszaru p do n
Elektronami wprowadzonymi z obszaru n do p
Narysuj poniżej charakterystykę pojemności złączowej Cj(U) diody Zenera.
Wykorzystując diody prostownicze i(lub) Zenera narysuj poniżej ogranicznik napięcia (-5V,+3V).
O rezystorze można powiedzieć, że:
Jeśli charakterystyka prądowo-napięciowa jest nieliniowa to mówimy o nieliniowym rezystorze
„dobry” rezystor to taki, który ma duży temperaturowy współczynnik rezystancji
Rezystancja rzeczywista zawiera się w zakresie rezystancja nominalna tolerancja
Rezystor rzeczywisty w obwodzie reprezentuje tylko rezystancję dla każdej częstotliwości
W podstawowej wersji dzielnika napięcia, dla stałej wartości źródła napięcia, wartość napięcia wyjściowego:
Zależy od wartości rezystancji wewnętrznej źródła napięcia i dwóch rezystancji tworzących dzielnik
Zależy od wartości rezystancji wewnętrznej źródła napięcia i nie zależy od wartości dwóch rezystancji tworzących dzielnik
Nie zależy od wartości rezystancji wewnętrznej źródła napięcia, natomiast zależy od różnicy wartości dwóch rezystancji tworzących dzielnik
Zależy tylko od stosunku podziału wartości dwóch rezystancji tworzących dzielnik i nie zależy od wartości rezystancji wewnętrznej źródła napięcia
W układzie całkującym dla wejściowego napięcia prostokątnego:

(…)

… transkonduktancja tranzystora bipolarnego pracującego w temperaturze pokojowej w punkcie pracy UGS=5V i IC=10mA
2mS
20mS
400mS
0.04S
W tranzystorze bipolarnym:
W układzie WE pojemność Cb'e to pojemność dyfuzyjna zależna od stałego prądu emitera
Własności częstotliwościowe definiuje się przez częst. przenoszenia, przy której moduł wzmocnienia prądowego wynosi 1
Dla WE napięcie Early'ego nie ma wpływu…
… temperatury
Naświetlenie promieniowaniem
Jonizację zderzeniową
Podwyższenie temperatury
W półprzewodniku samoistnym stosunek liczby elektronów do dziur:
Zależy od temperatury
Zależy od szerokości przerwy elektrycznej Nie zależy od temperatury
Zależy od koncentracji domieszki Pojemność dyfuzyjna jest pojemnością dominującą przy:
Spolaryzowanym w kierunku przewodzenia złączu EB tranzystora bipolarnego
Przewodzącej diodzie prostowniczej
Zaporowo spolaryzowanej diodzie świecącej
Zaporowo spolaryzowanym złączu BC tranzystora bipolarnego
Dla półprzewodnika typu n poziom fermiego:
Przesuwa się w kierunku walencyjnego
Przesuwa się w kierunku poziomu przewodnictwa
Nie zmienia się
Zależy od temperatury
W tranzystorze JFET z kanałem typu p zmierzono prąd ID=16mA dla napięcia UGS=0V, natomiast dla UDS=3V zanotowano…
… OB pracujący w stanie zatkania.
W tranzystorze MOSFET prąd drenu ID zależy:
Od pierwiastka napięcia UGS w liniowym zakresie pracy
Od kwadratu napięcia UGS w zakresie nasycenia
Liniowo od napięcia UGS w zakresie nasycenia
Od kwadratu napięcia UGS w zakresie pracy liniowej
Narysuj ch-ki przejściowe i wyjściowe tranzystora MOSFET wzbogacanego typu p.
Przejściowa Wyjściowa
W tranzystorze MOSFET:
Gdy UGS…
... zobacz całą notatkę