elementy elektroniczne - Egzamin 2010

Nasza ocena:

3
Pobrań: 203
Wyświetleń: 693
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
elementy elektroniczne - Egzamin 2010 - strona 1 elementy elektroniczne - Egzamin 2010 - strona 2 elementy elektroniczne - Egzamin 2010 - strona 3

Fragment notatki:

Egzamin z Elementów Elektronicznych, TERMIN 1, 2010 – grupa D
ścieżka: EGZAMINY/2010/zestaw D
pliki źródłowe: ee2010d, ee2010d1, ee2010d2, ee2010d3
1) Dla półprzewodnika typu n poziom Fermiego:
a) przesuwa się w kierunku poziomu walencyjnego,
b) przesuwa się w kierunku poziomu przewodnictwa,
c) nie zmienia się,
d) zależy od temperatury.
2) W tranzystorze JFET z kanałem typu p zmierzono prąd ID=16mA dla napięcia UGS=0V,
natomiast dla UGS=-3V zanotowano prąd o połowę mniejszy. Ile wynosi IDSS i UP dla
tego tranzystora?
a) IDSS=8mA, UP=-2V
b) IDSS=16mA, UP=-4V
c) IDSS=8mA, UP=-3V
d) IDSS=16mA, UP=-4V
3) W podstawowej wersji dzielnika napięcia, dla stałej wartości źródła napięcia, wartośd
napięcia wyjściowego:
a) zależy od wartości rezystancji wewnętrznej źródła napięcia i dwóch rezystancji
tworzących dzielnik,
b) zależy od wartości rezystancji wewnętrznej źródła napięcia i nie zależy od wartości
dwóch rezystancji tworzących dzielnik,
c) nie zależy od wartości rezystancji wewnętrznej źródła napięcia, natomiast zależy od
różnicy wartości dwóch rezystancji tworzących dzielnik,
d) zależy tylko od stosunku podziału wartości dwóch rezystancji tworzących dzielnik i
nie zależy od wartości rezystancji wewnętrznej źródła napięcia.
4) Pojemnośd dyfuzyjna jest pojemnością dominującą przy:
a) spolaryzowanym w kierunku przewodzenia złączu EB tranzystora bipolarnego,
b) przewodzącej diodzie prostowniczej,
c) zaporowo spolaryzowanej diodzie świecącej,
d) zaporowo spolaryzowanym złączu BC tranzystora bipolarnego.
5) W temperaturze T=0K w półprzewodniku samoistnym:
a) wszystkie dziury i elektrony znajdują się w paśmie walencyjnym,
b) niektóre dziury i wszystkie elektrony znajdują się w paśmie walencyjnym,
c) tylko elektrony znajdują się w paśmie przewodnictwa,
d) tylko dziury znajdują się w paśmie walencyjnym.
6) Rekombinacja pary elektron-dziura w półprzewodniku samoistnym może zostad
przyspieszona przez:
a) obniżenie temperatury,
b) naświetlenie promieniowaniem,
c) jonizację zderzeniową,
d) podwyższenie temperatury.
7) W półprzewodniku samoistnym stosunek liczby elektronów do dziur:
a) zależy od temperatury,
b) zależy od szerokości przerwy energetycznej,
c) nie zależy od temperatury,
d) zależy od koncentracji domieszki.
Strona 1 z 4
8) W układzie całkującym, dla wejściowego napięcia prostokątnego:
a) możemy otrzymad na wyjściu sygnał trójkątny,
b) możemy otrzymad na wyjściu sygnał prostokątny,
c) możemy otrzymad na wyjściu napięcie stałe,
d) nie możemy otrzymad żadnego sygnału z trzech powyższych.
9) W półprzewodniku domieszkowanym typu n liczba dziur:
a) zależy od temperatury,
b) jest równa zero,
c) nie zależy od temperatury,
d) zależy od koncentracji domieszki.
10) Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej w kierunku przewodzenia:
a) rośnie wraz ze wzrostem prądu,
b) maleje wraz ze wzrostem prądu,
c) nie zależy od prądu,
d) rośnie wraz ze wzrostem napięcia.
11) W pasmowym modelu przewodnictwa przerwa energetyczna pomiędzy pasmem
walencyjnym a przewodnictwa w

(…)

… tylko do tranzystora rzeczywistego,
d) ma zastosowanie tylko dla napięd stałych.
13) W idealnej diodzie ze złączem p+-n spolaryzowanej przewodząco głównym prądem
złącza jest związany z:
a) dziurami wprowadzonymi z obszaru n do p,
b) dziurami wprowadzonymi z obszaru p do n,
c) elektronami wprowadzonymi z obszaru p do n,
d) elektronami wprowadzonymi z obszaru p do n.
14) Narysuj poniżej charakterystykę pojemności…

nasycenia złącza (max. 4 pkt.).
19) O złączu p-n można powiedzied, że:
a) w złączu liniowym pole elektryczne warstwy zubożonej ma liniowy rozkład,
b) w skutek generacji w warstwie zubożonej rośnie prąd w kierunku przewodzenia,
c) rezystancja obszaru bazy złącza nie wpływa na prąd przy polaryzacji przewodzącej,
d) szerokośd warstwy zubożonej maleje wraz ze wzrostem napięcia polaryzującego
złącze przewodząco.
20) Wraz ze wzrostem temperatury złącza krzemowego:
a) prąd rewersyjny podwaja się o każde 10K,
b) rośnie napięcie przebicia Zenera,
c) napięcie maleje o 2mV/K przy stałym prądzie płynącym przez złącze,
d) napięcie na złączu nie zmienia się o ile jest ono spolaryzowane stałym prądem.
21) O złączu p-n można powiedzied, że:
a) najlepsze właściwości stabilizacyjne mają diody lawinowe przy napięciach 8…
…) Czy następujące zdania są prawdziwe:
a) diak to tyrystor dwukierunkowy,
b) przepływ prądu bramki włącza tyrystor, a zanik prądu anodowego wyłącza,
c) wzrost prądu przepływającego przez w termistor NTC powoduje zmniejszenie
spadku napięcia na nim,
d) napięcie Halla w Hallotronie zależy odwrotnie proporcjonalnie od natężenia pola
magnetycznego (ponieważ pole magnetyczne zaburza ruch nośników w pp.).
Strona 4 z 4

... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz