To tylko jedna z 4 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
1.Wraz ze wzrostem temperatury liczba nośników prądu w półprzewodnikach: rośnie
2.Półprz. samoistny to: a) materiał samoistnie generujący prąd b) półprzew. z pojedynczym elektronem walencyjnym c) czysty półprz. pozbawiony domieszek i defektów sieci d) materiał w którym samoistnie powstają domieszki 3.Półprz. domieszkowany to: (to jest chyba pytanie które będzie na kole poprawkowym) a) materiał łatwo mieszalny b) półprz. z celowo wprowadzonymi zanieczyszczeniami c) materiał w którym samoistnie powstają domieszki d) materiał w którym nie powstaje dodatkowy poziom energetyczny 4.Obszar ładunku przestrzennego w złączu p-n: a) blokuje ruch nośników większościowych b) przyspiesza nośniki większościowe c) spowalnia nośniki mniejszościowe d) to obszar w ktorym występuje duża koncentracja wolnych nośników 5.Ujemną rezystancję dynamiczną wykazują diody: a) mikrofalowe b) Zenera c) tunelowe d) pojemnościowe 6.Które twierdzenie nie jest prawdziwe: Tranzystor FET w porównaniu z bipolarnym ma: a) większą impedancję wejsciową b) mniejsze zakłócenia c) gorsze właściwości w zakresie W.CZ d) duzo gorszą skalę integracji układu scalonego 7. Punkt tranzystora PNP: a) zawsze pokrywa się z punktem (0,0) charakterystyki Ic od Ube(?) b) c) nie zdążylem zapisac( jak ktoś ma to uzupełnie) d) 8. Zjawisko Zenera i przebicie lawinowe złącza PN: a) są wynikiem zderzenia nośników mniejszościowych z atomami sieci b) są wynikiem działania silnego pola elektr. w obszarze złącza c) mogą występowac jednoczesnie d) są zjawiskami nieodwracalnymi 9. W tranzystorze MOSFET z kanałem zaindukowanym dla UGE=0 (Prawdopodobnie powinno być Ugs=0) (nie wiem czy coś jeszcze było w treści pytania): a) płynie duży prąd drenu b) zostaje zaindukowany kanał c) prąd drenu nie płynie d) tr. pracuje w zakresie aktywnym 10. Światłem widzialnym nazywamy promieniowanie e-m w zakresie: a) 120-380 b) 380-780 nanometrów c) powyżej 380 d) poniżej 1000 11. Emisja promieniowania w diodzie LED następuje w wyniku: a) poszerzenia obszaru ład. przestrz. b) polaryzacji w kierunku zaporowym c) rekombinacji promienistej d) tunelowego przebicia złącza 12. Wartośc prądu Ic w obwodzie wynosi(rysunek prostego obwodu z tranzystorem): 13. Współczynnik wzmocnienia prądowego ukł. ze wspólnym emiterem(na kole poprawkowym bedzie z kolektorem) to stosunek: Beta=Ic/Ib 14. Zależność prądowo-napięciowa diody w kierunku przewodzenia opisana jest równaniem: Id=Iu*exp(qU/kT) Tak podał nowe pytania: 15. Wraz ze wzrostem temperatury w półprzewodniku: a) rezystancja maleje b) rezystancja rośnie c) nie zmienia się d) (nie zdążyłem zapisać ale coś było o logarytmicznie czy wykładniczo) 16 .W półprzewodniku typu N występuje:(nie zdążyłem odpowiedzi zapisać) Chodzi pewnie o to ze dziury sa nosni
(…)
…, czerwona
30. Jednostka natężenia oświetlenia- lumen
31
…
…*exp(qU/kT) Tak podał nowe pytania: 15. Wraz ze wzrostem temperatury w półprzewodniku: a) rezystancja maleje b) rezystancja rośnie c) nie zmienia się d) (nie zdążyłem zapisać ale coś było o logarytmicznie czy wykładniczo) 16 .W półprzewodniku typu N występuje:(nie zdążyłem odpowiedzi zapisać) Chodzi pewnie o to ze dziury sa nosnikami mniejszosciowymi a elektrony swobodne wiekszosciowymi a) b) c) d) 17. W przewodniku szerokość pasma zabronionego wynosi: nie wystepuje 0 18. Przy polaryzacji diody w kierunku zaporowym szerokość bariery potencjałów: a) zmniejsza się b) zwiększa się c) w całości wnika do obszaru N d) w całości wnika do obszaru P 19.Przy polaryzacji diody w kierunku przewodzenia dla małych prądów: a) rezystancja złącza Rj…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)