To tylko jedna z 2 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
s
ZESTAW PYTAŃ DO EGZAMINU Z „UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH I”
Wielkosygnałowy model Schichmana - Hodgesa tranzystora MOSFET - charakterystyki statyczne: wyjściowe i przejściowe.
Zdefiniować i porównać na charakterystyce amplitudowej częstotliwości graniczne fα , fβ , fTtranzystora bipolarnego.
Częstotliwość graniczna fT tranzystora MOSFET.
Zdefiniować, narysować i porównać: statyczną i dynamiczną prostą pracy w układzie zasilania tranzystora bipolarnego z dwójnikiem RE CE w obwodzie emitera i rezystorem RC w obwodzie kolektora.
Zdefiniować, narysować i porównać: statyczną i dynamiczną prostą pracy w układzie zasilania tranzystora bipolarnego z dwójnikiem RE CE w obwodzie emitera i transformatorem w obwodzie kolektora - transformator obciążony jest po stronie wtórnej rezystancją RL', pominąć rezystancje uzwojeń, przekładnia transformatora wynosi p= z1/ z2 .
Kaskodowe lustro prądowe na tranzystorach NMOS: a) schemat ideowy, b) charakterystyka prądowo napięciowa. Wyznaczyć napięcie wejściowe lustra i minimalne napięcie wyjściowe.
Kaskadowe, niskonapięciowe lustro prądowe typu “high swing” na tranzystorach NMOS: a) schemat ideowy, b) charakterystyka prądowo napięciowa. Wyznaczyć napięcie wejściowe lustra i minimalne napięcie wyjściowe.
Zdefiniować i scharakteryzować parametry wzmacniacza transkonduktancyjnego.
Zdefiniować i scharakteryzować parametry wzmacniacza transimpedancyjnego.
Narysować schematy wzmacniaczy RC w konfiguracjach: OE, OB, OC.
Wzmacniacz OS z obciążeniem aktywnym w postaci tranzystora PMOS w połączeniu diodowym. Charakterystyka przejściowa, małosygnałowy model zastępczy, wzmocnienie i rezystancja wyjściowa.
Wzmacniacz OS z obciążeniem aktywnym ze źródłem stałoprądowym na tranzystorach pMOS z kanałem wzbogacanym. Charakterystyka przejściowa, małosygnałowy model zastępczy, wzmocnienie i rezystancja wyjściowa.
Inwertor CMOS jako małosygnałowy wzmacniacz OS. Charakterystyka przejściowa, małosygnałowy model zastępczy, wzmocnienie i rezystancja wyjściowa.
Charakterystyki przejściowe pary różnicowej: iC1 = f(vIR) , iC2 = f(vIR) , iOR = f(vIR) - prądy kolektorów pary różnicowej i różnicowy prąd wyjściowy w funkcji wejściowego napięcia różnicowego.
Charakterystyki przejściowe pary różnicowej: iD1 = f(vIR) , iD2 = f(vIR) , iOR = f(vIR) - prądy drenów pary różnicowej i różnicowy prąd wyjściowy w funkcji wejściowego napięcia różnicowego.
Wzmacniacz różnicowy z obciążeniem w postaci lustra prądowego na tranzystorach pnp. Jak wzmacniacz ten przenosi na wyjście sygnały różnicowe, a jak sygnały sumacyjne.
(…)
… prostą pracy w układzie zasilania tranzystora bipolarnego z dwójnikiem RE CE w obwodzie emitera i rezystorem RC w obwodzie kolektora.
Zdefiniować, narysować i porównać: statyczną i dynamiczną prostą pracy w układzie zasilania tranzystora bipolarnego z dwójnikiem RE CE w obwodzie emitera i transformatorem w obwodzie kolektora - transformator obciążony jest po stronie wtórnej rezystancją RL', pominąć…
… tranzystora MOSFET.
Zdefiniować, narysować i porównać: statyczną i dynamiczną prostą pracy w układzie zasilania tranzystora bipolarnego z dwójnikiem RE CE w obwodzie emitera i rezystorem RC w obwodzie kolektora.
Zdefiniować, narysować i porównać: statyczną i dynamiczną prostą pracy w układzie zasilania tranzystora bipolarnego z dwójnikiem RE CE w obwodzie emitera i transformatorem w obwodzie kolektora…
… charakterystyk częstotliwościowych wzmacniaczy operacyjnych w technologii bipolarnej i w technologii CMOS.
Jakie są różnice pomiędzy wzmacniaczami: odwracającym i nieodwracającym, zrealizowanymi na wzmacniaczach operacyjnych.
Jakie są różnice pomiędzy integratorami zrealizowanymi na: idealnym i rzeczywistym wzmacniaczu operacyjnym?
Dlaczego w praktyce nie stosuje się układów różniczkujących realizowanych…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)