Test z inżynierii materiałowej i konstrukcji urządzeń

Nasza ocena:

5
Pobrań: 84
Wyświetleń: 2303
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Test z inżynierii materiałowej i konstrukcji urządzeń  - strona 1 Test z inżynierii materiałowej i konstrukcji urządzeń  - strona 2 Test z inżynierii materiałowej i konstrukcji urządzeń  - strona 3

Fragment notatki:


TEST z Inżynierii Materiałowej i Konstrukcji Urządzeń IMiKU Wykladowca T. Stapiński 1. Monokryształy cechuje: a) duża ruchliwość nośników elektrycznych, b) mniejsze rozpraszanie światła w porównaniu z polikryształem, c) mniejsza ilość zlokalizowanych stanów w przerwie energetycznej w porównaniu z materiałem amorficznym, 2. Procesy jednoskładnikowe krystalizacji dzieli się na zachowawcze i niezachowawcze. Do procesów zachowawczych należą: a) metoda Bridgmana-Stockbargera, metoda Czochralskiego, metoda Kyropoulosa a do niezachowawczych metoda wędrującej strefy b) metoda Czochralskiego, metoda Kyropoulosa a do niezachowawczych metoda wędrującej strefy, metoda Bridgmana-Stockbargera,
c) metoda Kyropoulosa a do niezachowawczych metoda wędrującej strefy, metoda Bridgmana-Stockbargera, metoda Czochralskiego,
3. Epitaksjalny wzrost warstw może przebiegać jedynie z fazy ciekłej
jedynie z wiązek molekularnych (MBE)
z wiązek molekularnych (MBE), z fazy ciekłej i z par 4. Metodą epitaksji z wiązek molekularny ch (Molecular Beam Epitaxy MBE) można otrzymać: związki półprzewodnikowe III-V, PD, HEMT oraz LED, a nie można otrzymać HBT, MQW, Q-W, Q-DOTS i OLED
związki półprzewodnikowe III-V, HEMT, HBT, PD, MQW, Q-W, Q-DOTS oraz LED, a nie można otrzymać OLED związki półprzewodnikowe III-V, HEMT, HBT, PD, MQW, Q-W, Q-DOTS oraz LED 5. W tabelach norm ISO 14644-1 dotyczących „clean room” podaje się maksymalne wartości liczby dopuszczalnych cząstek (zanieczyszczeń) na jednostkę:
powierzchni (metr kwadratowy)
objętości (metr sześcienny) objętości (stopa sześcienna)
6. Elementy i układy wykonane w technologii grubowarstwowej obejmują: ścieżki przewodzące, rezystory a nie obejmują warstw izolacyjnych, kondensatorów, cewek, układów wielowarstwowych TFM, układów wielowarstwowych LTCC, termistorów, warystorów, elementów grzejnych, elementów nadprzewodzących, czujników, laserów na studniach kwantowych
ścieżki przewodzące, rezystory, warstwy izolacyjne, kondensatory, cewki, układy wielowarstwowe TFM, układy wielowarstwowe LTCC, termistory, warystory, elementy grzejne, elementy nadprzewodzące, czujniki, przetworniki, mikrosystemy a nie obejmują laserów ścieżki przewodzące, rezystory, warstwy izolacyjne, kondensatory, cewki, układy wielowarstwowe TFM, a nie obejmują układów wielowarstwowych LTCC, termistorów, warystorów 7. Podłoża stosowane w mikroelektronicznych technologiach grubowarstwowych winna cechować: odporność na wysokie temperatury, dobre przewodnictwo cieplne, dobra izolacja elektryczna, płaskość powierzchni, elastyczność


(…)

… wysokiej lub niskiej rezystancji zależnie od: kierunku namagnesowania elektrod, polaryzacji napięcia zasilania, kierunku pola magnetycznego 12. Jednym z podstawowych parametrów elementów spintronicznych jest magnetorezystancja (MR). Definiuje ją równanie?
MR =( RW + RP)/ RN,
MR =(RW−RN)/RN
MR =( RN +RW)/2,
gdzie: RW− rezystancja wysoka elementu, RN− rezystancja niska elementu.
13. Elementem spintronicznym stosowanym obecnie w budowie głowic odczytowych dysków twardych i komórek pamięci M-RAM jest magnetyczne złącze tunelowe. Aby złącze to mogło być wykorzystane w budowie głowicy odczytowej dysku twardego powinno się cechować:
koercją charakterystyki rezystancji od pola magnetycznego,
dwustanowością charakterystyki rezystancja od pola magnetycznego,
liniowością i bezkoercyjnością charakterystyki rezystancji…
... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz