To tylko jedna z 41 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
Kierunek: Elektronika i Telekomunikacja Moduł Elektronika AGH Kraków 2011-2012 T est wielokrotnego wyboru - przykładowe pytania na Egzamin Kierunkowy po I stopniu studiów oraz Wstępny na II stopień studiów stacjonarnych i niestacjonarnych na Elektronice i Telekomunikacji. Do każdego pytania dołączono jedną przykładową odpowiedź, jaka może się znaleźć w teście. Odpowiedź ta może być poprawna, ale i niepoprawna. Ma ona jedynie ściślej przybliżyć tematykę, której pytanie dotyczy. Pytania dotyczą następujących przedmiotów: ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE cz.I” ELEMENTY ELEKTRONICZNE ANTENY I PROPAGACJA FAL RADIOWYCH PRZETWARZANIE SYGNAŁÓW ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE cz. II TECHNIKI BEZPRZEWODOWE TECHNIKA WIELKICH CZĘSTOTLIWOŚCI INŻYNIERIA MATERIAŁOWA I KONSTRUKCJA URZĄDZEŃ TECHNIKA CYFROWA TEORIA SYGNAŁÓW TECHNIKA MIKROPROCESOROWA PYTANIA TESTOWE Z „ANALOGOWYCH UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH cz.I” 1. Wielkosygnałowy model Shichmana – Hodgesa tranzystora N-MOS w obszarze liniowym ( ) ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎣ ⎡ − − = 2 2 DS DS T GS ox D U U U U C L W I μ obowiązuje w przedziale napięć: dla UGS UT i UDS UGS -UT 2. Transkonduktancję gm w małosygnałowym modelu tranzystora MOSFET można wyznaczyć przy: składowej stałej napięcia UDS = UGS - UT 3. Częstotliwość graniczną fT tranzystora MOSFET wyznacza się przy: galwanicznym zwarciu drenu ze źródłem dla składowej zmiennej 4. Charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w konfiguracji OE: przecinają się z osią U w początku układu współrzędnych IC=f(UCE) CE 5. Dla małosygnałowego modelu tranzystora bipolarnego: zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego β wyznacza się przy galwanicznym zwarciu na wyjściu kolektora z emiterem 6. Pomiędzy częstotliwościami granicznymi fα , fβ , fT tranzystora bipolarnego zachodzą relacje: fβ
(…)
… prądowego na tranzystorach
PMOS (Rys. c)). Parametry wzmacniacza: gm1,2 = 0,2 mA/V ; gds1,2 = 0,002 mA/V ; gds3,4
= 0,003 mA/V, układ zostanie obciążony rezystancją RL = 300 kΩ. Wzmocnienie dla
sygnałów różnicowych UG1 = Ur ; UG2 = 0) i rezystancja wyjściowa wynoszą:
+ U DD
c)
M3
M4
I D3
I D1
U G1
kur ≈ 24,01 ; Ro ≈ 120,48 kΩ
I D4
I D2
M1
M2
UO
U G2
S
I
U GG
M5
− U SS
20. Wzmacniacz operacyjny…
…
charakteryzuje się tym, że:
Sygnał z wyjścia (kolektora lub drenu tranzystora drugiego stopnia) podaje się przez
rezystor na bazę lub bramkę tranzystora pierwszego stopnia.
28. Kompensacja charakterystyk częstotliwościowych wzmacniaczy operacyjnych (rysunek
poniżej). Prawdziwe są informacje:
k u dB
-20dB/dek
20 log k u 0
-40dB/dek
ωT ω II z
1
ωI
ω I'
'
ω II
-40dB/dek
ω
-20dB/dek
Aproksymowane wartości biegunów…
… przewodząco napięciem
26mV w temperaturze pokojowej (300K) płynie prąd:
2,72nA
9. O złączu p-n można powiedzieć, że:
baza diody jest krótka jeśli jej długość jest mniejsza niż droga dyfuzji odpowiednich nośników
10. Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej w kierunku przewodzenia:
rośnie wraz ze wzrostem prądu
11. Dla diody krzemowej spolaryzowanej w kierunku przewodzenia wyznaczono punkt pracy
ID=10mA…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)