Moduł Elektronika

Nasza ocena:

3
Pobrań: 49
Wyświetleń: 1036
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Moduł Elektronika - strona 1

Fragment notatki:


  Kierunek: Elektronika i Telekomunikacja  Moduł Elektronika  AGH Kraków 2011-2012    T est wielokrotnego wyboru - przykładowe pytania na Egzamin Kierunkowy po I  stopniu studiów oraz Wstępny na II stopień studiów stacjonarnych i  niestacjonarnych na Elektronice i Telekomunikacji.    Do każdego pytania dołączono jedną przykładową odpowiedź, jaka może się znaleźć  w teście.  Odpowiedź ta może być poprawna, ale i niepoprawna. Ma ona jedynie ściślej  przybliżyć tematykę, której pytanie dotyczy.    Pytania dotyczą następujących przedmiotów:     ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE  cz.I”  ELEMENTY ELEKTRONICZNE  ANTENY I PROPAGACJA FAL RADIOWYCH  PRZETWARZANIE SYGNAŁÓW  ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE  cz. II  TECHNIKI BEZPRZEWODOWE  TECHNIKA WIELKICH CZĘSTOTLIWOŚCI  INŻYNIERIA MATERIAŁOWA I KONSTRUKCJA URZĄDZEŃ  TECHNIKA CYFROWA  TEORIA SYGNAŁÓW  TECHNIKA  MIKROPROCESOROWA                                            PYTANIA TESTOWE  Z „ANALOGOWYCH UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH  cz.I”    1.  Wielkosygnałowy model Shichmana – Hodgesa  tranzystora N-MOS w obszarze  liniowym      ( ) ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎣ ⎡ − − = 2 2 DS DS T GS ox D U U U U C L W I μ   obowiązuje w przedziale  napięć:       dla   UGS  UT     i   UDS  UGS -UT      2.  Transkonduktancję  gm  w małosygnałowym modelu tranzystora MOSFET można  wyznaczyć przy:     składowej stałej napięcia   UDS = UGS - UT     3.  Częstotliwość graniczną  fT   tranzystora MOSFET wyznacza się przy:      galwanicznym zwarciu drenu ze źródłem dla składowej zmiennej    4.  Charakterystyki wyjściowe  tranzystora bipolarnego w konfiguracji OE:  przecinają się z osią  U   w początku układu współrzędnych IC=f(UCE)  CE   5.  Dla małosygnałowego modelu tranzystora bipolarnego:  zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego  β wyznacza się przy galwanicznym  zwarciu na wyjściu kolektora z emiterem    6.  Pomiędzy częstotliwościami granicznymi  fα  ,  fβ  ,  fT   tranzystora bipolarnego zachodzą  relacje:         fβ   

(…)

… prądowego na tranzystorach
PMOS (Rys. c)). Parametry wzmacniacza: gm1,2 = 0,2 mA/V ; gds1,2 = 0,002 mA/V ; gds3,4
= 0,003 mA/V, układ zostanie obciążony rezystancją RL = 300 kΩ. Wzmocnienie dla
sygnałów różnicowych UG1 = Ur ; UG2 = 0) i rezystancja wyjściowa wynoszą:
+ U DD
c)
M3
M4
I D3
I D1
U G1
kur ≈ 24,01 ; Ro ≈ 120,48 kΩ
I D4
I D2
M1
M2
UO
U G2
S
I
U GG
M5
− U SS
20. Wzmacniacz operacyjny

charakteryzuje się tym, że:
Sygnał z wyjścia (kolektora lub drenu tranzystora drugiego stopnia) podaje się przez
rezystor na bazę lub bramkę tranzystora pierwszego stopnia.
28. Kompensacja charakterystyk częstotliwościowych wzmacniaczy operacyjnych (rysunek
poniżej). Prawdziwe są informacje:
k u dB
-20dB/dek
20 log k u 0
-40dB/dek
ωT ω II z
1
ωI
ω I'
'
ω II
-40dB/dek
ω
-20dB/dek
Aproksymowane wartości biegunów…
… przewodząco napięciem
26mV w temperaturze pokojowej (300K) płynie prąd:
2,72nA
9. O złączu p-n można powiedzieć, że:
baza diody jest krótka jeśli jej długość jest mniejsza niż droga dyfuzji odpowiednich nośników
10. Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej w kierunku przewodzenia:
rośnie wraz ze wzrostem prądu
11. Dla diody krzemowej spolaryzowanej w kierunku przewodzenia wyznaczono punkt pracy
ID=10mA…
... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz