Zestawienie pytań egzaminacyjnych składa się z 351 pozycji, które pogrupowane są według m.in. następujących przedmiotów: analogowe układy elektroniczne cz. 1, elementy elektroniczne, anteny i propagacja fal radiowych, przetwarzanie sygnałów, analogowe układy elektroniczne cz. 2. Wśród dyscyplin naukowych, według których pogrupowane są polecenia egzaminacyjne, są również: techniki bezprzewodowe, technika wielkich częstotliwości, inżynieria materiałowa i konstrukcja urządzeń, technika cyfrowa, teoria sygnałów, technika mikroprocesorowa.
Niniejsze pytania egzaminacyjne na studia II stopnia zostały zaktualizowane na przełomie 2011 i 2012 roku i są obowiązkowym zestawem zagadnień na egzamin wstępny na stacjonarne studia uzupełniające magisterskie na Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie na kierunek elektronika i telekomunikacja.
Kierunek: Elektronika i Telekomunikacja
Moduł Elektronika
AGH Kraków 2011-2012
Test wielokrotnego wyboru - przykładowe pytania na Egzamin Kierunkowy po I
stopniu studiów oraz Wstępny na II stopień studiów stacjonarnych i
niestacjonarnych na Elektronice i Telekomunikacji.
Do każdego pytania dołączono jedną przykładową odpowiedź, jaka może się znaleźć
w teście.
Odpowiedź ta może być poprawna, ale i niepoprawna. Ma ona jedynie ściślej
przybliżyć tematykę, której pytanie dotyczy. Pytania dotyczą następujących przedmiotów: ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE cz.I” ELEMENTY ELEKTRONICZNE ANTENY I PROPAGACJA FAL RADIOWYCH
PRZETWARZANIE SYGNAŁÓW ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE cz. II TECHNIKI BEZPRZEWODOWE TECHNIKA WIELKICH CZĘSTOTLIWOŚCI INŻYNIERIA MATERIAŁOWA I KONSTRUKCJA URZĄDZEŃ TECHNIKA CYFROWA TEORIA SYGNAŁÓW
TECHNIKA MIKROPROCESOROWA
PYTANIA TESTOWE Z „ANALOGOWYCH UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH cz.I”
1. Wielkosygnałowy model Shichmana – Hodgesa tranzystora N-MOS w obszarze
liniowym
W
⎡
2I =UC
μUU UDox (
−GST )
⎤
⎢DS
−DS
⎥L
⎣
2 ⎦
obowiązuje w przedziale napięć:
dla UGS > UT i UDS > UGS -UT
2. Transkonduktancję gm w małosygnałowym modelu tranzystora MOSFET można
wyznaczyć przy:
składowej stałej napięcia UDS = UGS - UT
3. Częstotliwość graniczną fT tranzystora MOSFET wyznacza się przy:
galwanicznym zwarciu drenu ze źródłem dla składowej zmiennej
4. Charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w konfiguracji OE:
przecinają się z osią U
w początku układu współrzędnych IC=f(UCE) CE
5. Dla małosygnałowego modelu tranzystora bipolarnego:
zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego β wyznacza się przy galwanicznym zwarciu na wyjściu kolektora z emiterem
6. Pomiędzy częstotliwościami granicznymi fα , fβ , fT tranzystora bipolarnego zachodzą
relacje:
fβ < fα < fT
7. Układ wzmacniacza na tranzystorze bipolarnym z dwójnikiem RECE w obwodzie emitera
i transformatorem w obwodzie kolektora , UCC = 48 V, spoczynkowy prąd kolektora ICQ =
400 mA, RE = 2 Ω, transformator obciążony jest po stronie wtórnej rezystancją RL= 4 Ω,
rezystancja uzwojenia pierwotnego transformatora r1 = 2 Ω, rezystancja uzwojenia
wtórnego transformatora r2 = 0,2 Ω, przekładnia transformatora p= z1/ z2)= 5. Napięcie
kolektor-emiter UCEQ w spoczynkowym punkcie pracy wynosi:
UCEQ = 4, 4 V
8. Proste (Rys.1) i kaskodowe (Rys.2) lustro prądowe na tranzystorach bipolarnych.
1
T
TU
2OUTUOUT
1
T
2
T
T3
T4
Minimalne napięcia wyjściowe w tych lustrach w przybliżeniu wynoszą:
Rys.1
(…)
… prądowego na tranzystorach
PMOS (Rys. c)). Parametry wzmacniacza: gm1,2 = 0,2 mA/V ; gds1,2 = 0,002 mA/V ; gds3,4
= 0,003 mA/V, układ zostanie obciążony rezystancją RL = 300 kΩ. Wzmocnienie dla
sygnałów różnicowych UG1 = Ur ; UG2 = 0) i rezystancja wyjściowa wynoszą:
+ U DD
c) M3 M4
I D3 I D4
UO
I D1 I D2
U G1 M1 M2 U G2
kur ≈ 24,01 ; Ro ≈ 120,48 kΩ S
I
U GG M5
− U SS
20. Wzmacniacz operacyjny…
…
charakteryzuje się tym, że:
Sygnał z wyjścia (kolektora lub drenu tranzystora drugiego stopnia) podaje się przez
rezystor na bazę lub bramkę tranzystora pierwszego stopnia.
28. Kompensacja charakterystyk częstotliwościowych wzmacniaczy operacyjnych (rysunek
poniżej). Prawdziwe są informacje:
k u dB
20 log k u 0 -20dB/dek
-40dB/dek
1 ωT ω II z
ωI ω I' ω II
'
-40dB/dek ω
-20dB/dek
Aproksymowane wartości biegunów oraz pojawiające się zero transmitancji
wzmacniacza skompensowanego zależą od pojemności kompensującej włączonej
pomiędzy wyjściem i wejściem drugiego stopnia i ten sposób kompensacji
charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza nazywany jest kompensacją biegunem
dominującym.
29. Wzmacniacze odwracający i nieodwracający, zrealizowano na wzmacniaczach
operacyjnych (rysunek poniżej).
i2 R2 R1 i2 R2
i1
i1 R1…
… przewodząco napięciem
26mV w temperaturze pokojowej (300K) płynie prąd:
2,72nA
9. O złączu p-n można powiedzieć, że:
baza diody jest krótka jeśli jej długość jest mniejsza niż droga dyfuzji odpowiednich nośników
10. Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej w kierunku przewodzenia:
rośnie wraz ze wzrostem prądu
11. Dla diody krzemowej spolaryzowanej w kierunku przewodzenia wyznaczono punkt pracy
ID=10mA…
… jest filtrem
numer odpowiedzi treść odpowiedzi poprawność odpowiedzi
stosowanym przed próbkowaniem
Pytanie egzaminacyjne nr 6
treść pytania: Analiza częstotliwościowa sygnałów dyskretnych
numer odpowiedzi treść odpowiedzi poprawność odpowiedzi
odpowiada z-transformacie na kole
jednostkowym
Pytanie egzaminacyjne nr 7
treść pytania: Dyskretna transformacja Fouriera
numer odpowiedzi treść odpowiedzi poprawność…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)