Studia II stopnia, Kraków, AGH, wydz EAIiE, elektronika i telekomunikacja, stacjonarne

Nasza ocena:

3
Pobrań: 140
Wyświetleń: 2324
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Studia II stopnia, Kraków, AGH, wydz EAIiE, elektronika i telekomunikacja, stacjonarne - strona 1

Fragment notatki:



Zestawienie pytań egzaminacyjnych składa się z 351 pozycji, które pogrupowane są według m.in. następujących przedmiotów: analogowe układy elektroniczne cz. 1, elementy elektroniczne, anteny i propagacja fal radiowych, przetwarzanie sygnałów, analogowe układy elektroniczne cz. 2. Wśród dyscyplin naukowych, według których pogrupowane są polecenia egzaminacyjne, są również: techniki bezprzewodowe, technika wielkich częstotliwości, inżynieria materiałowa i konstrukcja urządzeń, technika cyfrowa, teoria sygnałów, technika mikroprocesorowa.

Niniejsze pytania egzaminacyjne na studia II stopnia zostały zaktualizowane na przełomie 2011 i 2012 roku i są obowiązkowym zestawem zagadnień na egzamin wstępny na stacjonarne studia uzupełniające magisterskie na Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie na kierunek elektronika i telekomunikacja.

 
Kierunek: Elektronika i Telekomunikacja 
Moduł Elektronika 
AGH Kraków 2011-2012 
 
Test wielokrotnego wyboru - przykładowe pytania na Egzamin Kierunkowy po I 
stopniu studiów oraz Wstępny na II stopień studiów stacjonarnych i 
niestacjonarnych na Elektronice i Telekomunikacji. 
 
Do każdego pytania dołączono jedną przykładową odpowiedź, jaka może się znaleźć 
w teście. 
Odpowiedź ta może być poprawna, ale i niepoprawna. Ma ona jedynie ściślej 
przybliżyć tematykę, której pytanie dotyczy.  Pytania dotyczą następujących przedmiotów:   ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE  cz.I” ELEMENTY ELEKTRONICZNE ANTENY I PROPAGACJA FAL RADIOWYCH 
PRZETWARZANIE SYGNAŁÓW ANALOGOWE UKŁADY ELEKTRONICZNE  cz. II TECHNIKI BEZPRZEWODOWE TECHNIKA WIELKICH CZĘSTOTLIWOŚCI INŻYNIERIA MATERIAŁOWA I KONSTRUKCJA URZĄDZEŃ TECHNIKA CYFROWA TEORIA SYGNAŁÓW 
TECHNIKA  MIKROPROCESOROWA   
                   PYTANIA TESTOWE Z „ANALOGOWYCH UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH  cz.I” 
 1.  Wielkosygnałowy model Shichmana – Hodgesa  tranzystora N-MOS w obszarze 
liniowym 
 W

2I =UC
μUU UDox (
−GST )

⎢DS
 
−DS
⎥L

2 ⎦
 
obowiązuje w przedziale  napięć: 
    
dla  UGS > UT    i  UDS > UGS -UT  
 2.  Transkonduktancję gm w małosygnałowym modelu tranzystora MOSFET można 
wyznaczyć przy:  
  składowej stałej napięcia  UDS = UGS - UT 
 3.  Częstotliwość graniczną fT  tranzystora MOSFET wyznacza się przy: 
  
 galwanicznym zwarciu drenu ze źródłem dla składowej zmiennej 
 4.  Charakterystyki wyjściowe  tranzystora bipolarnego w konfiguracji OE: 
przecinają się z osią U
 w początku układu współrzędnych IC=f(UCE) CE
 5.  Dla małosygnałowego modelu tranzystora bipolarnego: 
zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego  β wyznacza się przy galwanicznym zwarciu na wyjściu kolektora z emiterem 
 
6.  Pomiędzy częstotliwościami granicznymi fα , fβ , fT  tranzystora bipolarnego zachodzą 
relacje: 
      fβ  < fα <  fT 
7.  Układ wzmacniacza na tranzystorze bipolarnym z dwójnikiem  RECE w obwodzie emitera 
i transformatorem w obwodzie kolektora , UCC = 48 V, spoczynkowy prąd kolektora ICQ  = 
400 mA, RE = 2 Ω, transformator obciążony jest po stronie wtórnej rezystancją RL= 4 Ω, 
rezystancja uzwojenia pierwotnego transformatora r1 = 2 Ω, rezystancja uzwojenia 
wtórnego transformatora r2 = 0,2 Ω, przekładnia transformatora p= z1/ z2)= 5. Napięcie 
kolektor-emiter UCEQ w spoczynkowym punkcie pracy wynosi: 
       UCEQ = 4, 4 V 
 8.  Proste (Rys.1) i kaskodowe (Rys.2)  lustro prądowe na tranzystorach bipolarnych. 
1
T
TU
2OUTUOUT
1
T
2
T
T3
T4
Minimalne napięcia wyjściowe w tych lustrach w przybliżeniu wynoszą: 
                                     Rys.1                  

(…)

… prądowego na tranzystorach
PMOS (Rys. c)). Parametry wzmacniacza: gm1,2 = 0,2 mA/V ; gds1,2 = 0,002 mA/V ; gds3,4
= 0,003 mA/V, układ zostanie obciążony rezystancją RL = 300 kΩ. Wzmocnienie dla
sygnałów różnicowych UG1 = Ur ; UG2 = 0) i rezystancja wyjściowa wynoszą:
+ U DD
c) M3 M4
I D3 I D4
UO
I D1 I D2
U G1 M1 M2 U G2
kur ≈ 24,01 ; Ro ≈ 120,48 kΩ S
I
U GG M5
− U SS
20. Wzmacniacz operacyjny

charakteryzuje się tym, że:
Sygnał z wyjścia (kolektora lub drenu tranzystora drugiego stopnia) podaje się przez
rezystor na bazę lub bramkę tranzystora pierwszego stopnia.
28. Kompensacja charakterystyk częstotliwościowych wzmacniaczy operacyjnych (rysunek
poniżej). Prawdziwe są informacje:
k u dB
20 log k u 0 -20dB/dek
-40dB/dek
1 ωT ω II z
ωI ω I' ω II
'
-40dB/dek ω
-20dB/dek
Aproksymowane wartości biegunów oraz pojawiające się zero transmitancji
wzmacniacza skompensowanego zależą od pojemności kompensującej włączonej
pomiędzy wyjściem i wejściem drugiego stopnia i ten sposób kompensacji
charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza nazywany jest kompensacją biegunem
dominującym.
29. Wzmacniacze odwracający i nieodwracający, zrealizowano na wzmacniaczach
operacyjnych (rysunek poniżej).
i2 R2 R1 i2 R2
i1
i1 R1…
… przewodząco napięciem
26mV w temperaturze pokojowej (300K) płynie prąd:
2,72nA
9. O złączu p-n można powiedzieć, że:
baza diody jest krótka jeśli jej długość jest mniejsza niż droga dyfuzji odpowiednich nośników
10. Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej w kierunku przewodzenia:
rośnie wraz ze wzrostem prądu
11. Dla diody krzemowej spolaryzowanej w kierunku przewodzenia wyznaczono punkt pracy
ID=10mA…
… jest filtrem
numer odpowiedzi treść odpowiedzi poprawność odpowiedzi
stosowanym przed próbkowaniem
Pytanie egzaminacyjne nr 6
treść pytania: Analiza częstotliwościowa sygnałów dyskretnych
numer odpowiedzi treść odpowiedzi poprawność odpowiedzi
odpowiada z-transformacie na kole
jednostkowym
Pytanie egzaminacyjne nr 7
treść pytania: Dyskretna transformacja Fouriera
numer odpowiedzi treść odpowiedzi poprawność…
... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz