Pytania testowe z „analogowych układów elektronicznych cz.I”

Nasza ocena:

5
Pobrań: 56
Wyświetleń: 791
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Pytania testowe z „analogowych układów elektronicznych  cz.I” - strona 1 Pytania testowe z „analogowych układów elektronicznych  cz.I” - strona 2 Pytania testowe z „analogowych układów elektronicznych  cz.I” - strona 3

Fragment notatki:


PYTANIA TESTOWE  Z „ANALOGOWYCH UKàADÓW ELEKTRONICZNYCH  cz.I”    1. Wielkosygnaáowy  model  Shichmana  –  Hodgesa    tranzystora  N-MOS  w  obszarze  liniowym      » ¼ º « ¬ ª   2 2 DS DS T GS ox D U U U U C L W I P   obowiązuje w przedziale  napiĊü:       dla   UGS  UT     i   UDS  UGS -UT      2. TranskonduktancjĊ  gm  w maáosygnaáowym modelu tranzystora MOSFET moĪna  wyznaczyü przy:     skáadowej staáej napiĊcia   UDS = UGS - UT     3. CzĊstotliwoĞü graniczną  fT   tranzystora MOSFET wyznacza siĊ przy:      galwanicznym zwarciu drenu ze Ĩródáem dla skáadowej zmiennej    4. Charakterystyki wyjĞciowe  tranzystora bipolarnego w konfiguracji OE:  przecinają siĊ z osią  U  w początku ukáadu wspóárzĊdnych IC=f(UCE)  CE   5. Dla maáosygnaáowego modelu tranzystora bipolarnego:  zwarciowy  wspóáczynnik  wzmocnienia  prądowego  ȕ  wyznacza  siĊ  przy  galwanicznym  zwarciu na wyjĞciu kolektora z emiterem    6. PomiĊdzy czĊstotliwoĞciami granicznymi  f Į  ,  fȕ  ,  fT   tranzystora bipolarnego zachodzą  relacje:         f ȕ   

(…)

… jest silniej domieszkowany niĪ obszary emitera i kolektora
23. Tranzystor bipolarny (wzmocnienie staáoprądowe 100) pracuje w ukáadzie WE (temp. 300K) w
punkcie pracy UCE = 10V i IC = 25mA. Ile wynosi jego konduktancja wejĞciowa?
1mS
24. W tranzystorze bipolarnym:
w ukáadzie WE czĊstotliwoĞü graniczna zaleĪny od pojemnoĞci Cb'e i Cb'c
25. Prawdziwe są nastĊpujące zdania:
przepáyw prądu bramki wáącza tyrystor
… uzwojenia pierwotnego transformatora r1 = 2 ȍ, rezystancja uzwojenia
wtórnego transformatora r2 = 0,2 ȍ, przekáadnia transformatora p= z1/ z2)= 5. NapiĊcie
kolektor-emiter UCEQ w spoczynkowym punkcie pracy wynosi:
UCEQ = 4, 4 V
8. Proste (Rys.1) i kaskodowe (Rys.2) lustro prądowe na tranzystorach bipolarnych.
T1
T1
U OUT
T2
T
3
T2
U OUT
T4
Minimalne napiĊcia wyjĞciowe w tych lustrach w przybliĪeniu wynoszą…
… na tranzystorach
PMOS (Rys. c)). Parametry wzmacniacza: gm1,2 = 0,2 mA/V ; gds1,2 = 0,002 mA/V ; gds3,4
= 0,003 mA/V, ukáad zostanie obciąĪony rezystancją RL = 300 kȍ. Wzmocnienie dla
sygnaáów róĪnicowych UG1 = Ur ; UG2 = 0) i rezystancja wyjĞciowa wynoszą:
U DD
c)
M3
M4
I D3
I D1
U G1
kur § 24,01 ; Ro § 120,48 kȍ
I D4
I D2
M1
M2
UO
U G2
S
I
U GG
M5
U SS
20. Wzmacniacz operacyjny ze sprzĊĪeniem prądowym…
… tranzystora drugiego stopnia) podaje siĊ przez
rezystor na bazĊ lub bramkĊ tranzystora pierwszego stopnia.
28. Kompensacja charakterystyk czĊstotliwoĞciowych wzmacniaczy operacyjnych (rysunek
poniĪej). Prawdziwe są informacje:
k u dB
-20dB/dek
20 log k u 0
-40dB/dek
ZT Z II z
1
ZI
Z I'
'
Z II
-40dB/dek
Z
-20dB/dek
Aproksymowane wartoĞci biegunów oraz pojawiające siĊ zero transmitancji
wzmacniacza…
... zobacz całą notatkę



Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz