To tylko jedna z 6 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
91. W jaki sposób i kiedy korzystamy z efektu objętościowego tranzystorów MOSFET?
Chyba chodzi o wpływanie na konduktancję kanału za pomocą potencjału bramki.
92. Określić kryterium dla małosygnałowe pracy MOSFETA jako aktywnego elementu liniowego.
Model małosygnałowy uwzględnia małe linearyzowane zmiany prądu drenu wokół jego stałej wartości ID w punkcie pracy (UDS,UGS).
Kryterium - Rozwinięcie prądu drenu jako funkcji 2 zmiennych w szereg MacLaurina oraz pominięcie wyrazów innych niż liniowe.
przy czym a=0.
Dla funkcji dwóch zmiennych rozwinięcie przyjmie postać:
W-szerokość kanału, L-dł.kanału, -ruchliwość nośników w kanale,COX-poj. Warstwy tlenkowej bramki
93. Jak zmieniają się parametry małosygnałowe gm i g0 w zakresie liniowym i nasycenia MOSFET?
Transkonduktancja - , konduktancja wyjściowa - Prąd drenu w zakresie liniowym: Prąd drenu w zakresie nasycenia: I teraz różniczkujemy.
94. Określić możliwości sterowania małosygnałowego MOSFET-a od strony podłoża - porównać z właściwymi parametrami sterowania od strony bramki.
trzeba poczytać to samo co przy efekcie objętościowy co do wpływu na parametry to takie sterownianie jest tylko pomocnicze bo nie zapewnia pełnej regulacji szer kanału a poza tym są problemy technologiczne (trzeba np odp domieszkować) Konrad nie jestem do końca pewien, ale możliwe że o to chodzi: koper str 66 ?? Nie wiem co z porównaniem z modulowaniem od strony bramki ale od strony podłoża ładnie ujęte w Marciniaku, podrozdział 6.3.1.4. (u mnie strona 391) 95. Jaki wpływ na pracę ma pojemność przekrycia elektrody bramki nad powierzchnią drenu i źródła?
Chodzi tutaj o tzw. efekt Millera. W efekcie Millera pojemność gate-dren Cgd zostaje zwielokrotniona przez wzmocnienie tranzystora gmRL do wartości:
Gdzie RL-rezystancja obciążenia na wyjściu. Jest to tzw. wejściowa pojemność Millera.
Efekt Millera ogranicza max. f pracy tranzystora, którą definiujemy jako f, przy której stosunek amplitud prądu ig i id jest równy 1.
96. Przedstawić narażenia napięciowe tranzystorów z izolowaną bramką.
Mosfety są bardzo podatne na przebicia jest to związane przede wszytski z obecnością niewielkich pojemności międzyelektrodowych. Np pojemność bramka-źródło 1pF a my ten tranzystor dotykamy ręką na której mamy 1nC wówczas napięcie na tym złączu wynosi ok 1kV. Dlatego stosuje się m.in. uziemianie grotów lutownice niskonapięciowe i opaski odprowadzające ładunek.
(…)
…: Uważa jest bardzo odporny chemicznie, a do tego lekki i bardzo twardy. W odróżnieniu od stopów metali **nie działa na niego ani wysoka temperatura (rzędu 1300°C)**, ani tlen. Ze względu na trwałość już dziś bywa wykorzystywany w produkcji części do silników (zarówno samolotowych, samochodowych, jak i stosowanych w statkach kosmicznych), ostrzy skrawających oraz specjalnych konstrukcji.
Azotek krzemu zwiększa Es (epsilon s) dwukrotnie i przez to tak samo 2krotnie zwiększa odpowiednie parametry (te które to Es zawierają).
Ponadto zmieni się (bodajże zwiększy) pojemność tej warstwy izolacyjnej. Z tego powodu zmienią się: prąd w zakresie liniowym i nasycenia oraz konduktancja i transkonduktancja.
99. Jak pracuje inwerter wykonany w technologii CMOS?
Jest to połączenie równoległe MOS-ów p na górze…
…, drugiego z kanałem P. Dąży się do wytwarzania elementów o zbliżonych bezwzględnych wartościach współczynników n, p oraz napięć odcięcia UTn, UTp. Dzięki przeciwnym typom przewodnictwa, tranzystory inwertera w stanach statycznych zwykle przewodzą na przemian, zależnie od napięcia sterującego. Dla niskiego napięcia wejściowego tranzystor Tp, napięcie wyjściowe jest wtedy równe UDD. Natomiast przy wysokim poziomie napięcia wejściowego przewodzi tranzystor Tn, a tranzystor Tp jest zatkany, napięcie wyjściowe jest wtedy równe zeru. …
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)