Pytania i odpowiedzi do egzaminu 81-90

Nasza ocena:

3
Pobrań: 21
Wyświetleń: 553
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Pytania i odpowiedzi do egzaminu 81-90 - strona 1 Pytania i odpowiedzi do egzaminu 81-90 - strona 2 Pytania i odpowiedzi do egzaminu 81-90 - strona 3

Fragment notatki:

81. Napisać równania macierzowe dla prądów małosygnałowych w zakresie w. cz. dla JFET-a.
Powszechnie przyjmuje się, że podstawową konfiguracją jest układ wspólnego źródła WS, który można opisać równaniami:
W praktyce częściej zamiast parametrów admitancyjnych stosuje się parametry uniwersalne:
- transkonduktancja dynamiczna
- dynamiczna konduktancja wyjściowa.
82. Narysować małosygnałowy schemat zastępczy dla JFET-a dla w. cz.
- pojemność bramka - podłoże,
- pojemność bramka - źródło,
- pojemność bramka - dren,
, - rezystancje szeregowe elektrod drenu i źródła,
- konduktancja kanału,
- transkonduktancja.
83. Określić małosygnałowe wzmocnienie napięciowe dla małych częstotliwości JFET-a w konfiguracji WS.
.
Rys. Schemat zastępczy tranzystora
unipolarnego w układzie WS.
84. Narysować rozkład napięcia bramkowego i ładunków w strukturze pojemnościowej MOS(p).
Przy polaryzacji elektrody bramki kondensatora p-MOS napięciem , pole elektryczne od dodatniego ładunku zgromadzonego na tej elektrodzie przechodzi liniowo przez warstwę tlenku i wykładniczo zanika w objętości półprzewodnika. Rozkład potencjału pomiędzy warstwą tlenku a półprzewodnikiem przedstawiono na poniższym rysunku.
Rys. Kondensator MOS na krzemie typu p (a); rozkład potencjału bramki w obszarze tlenku i półprzewodnika (b).
Zasięg pola elektrycznego w półprzewodniku w polowym efekcie powierzchniowym zależy od przewodności, a dokładniej - od koncentracji domieszek w półprzewodniku. Jest tym mniejszy, im większa jest koncentracja domieszek (tutaj ). W obecności tak skierowanego pola o natężeniu w półprzewodniku typu p dziury jako nośniki większościowe zostaną odsunięte z obszaru przypowierzchniowego w głąb podłoża, zaś mniejszościowe elektrony będą gromadzić się tuż przy tlenku w ilościach ponad poziom równowagowy.
85. W jakich warunkach tworzy się kondensator w obszarze przypowierzchniowym półprzewodnika w strukturze MOS?
W formie pierwotnej i najprostszej kondensator MOS powstaje po wytworzeniu cienkiej warstwy dwutlenku krzemu SiO2 na powierzchni monokrystalicznego krzemu i naniesieniu na SiO2 warstwy aluminium (rysunek). Tego typu struktura jest podstawowym elementem konstrukcji tranzystorów unipolarnych z efektem polowym w warstwie przypowierzchniowej półprzewodnika - w tranzystorach MOSFET, gdzie warstwa metaliczna pełni rolę bramki. W układach scalonych struktury MOS spełniają również funkcję kondensatorów jako elementów układu.


(…)

…-a?
W tranzystorach MOSFET z izolowaną bramką prąd płynący między źródłem a drenem w przypowierzchniowym kanale jest sterowany potencjałem elektrody bramki poprzez warstwę dielektryka. Jest to prąd nośników większościowych. Kanał jest zwykle indukowany; tranzystor staje się aktywny, gdy potencjał na bramce przekroczy wartość progową . Poniżej tej wartości przez tranzystor płyną znikome prądy podprogowe, a tranzystor…
... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz