struktura MIS - omówienie

Nasza ocena:

3
Pobrań: 175
Wyświetleń: 1456
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
struktura MIS - omówienie - strona 1 struktura MIS - omówienie - strona 2 struktura MIS - omówienie - strona 3

Fragment notatki:

Opisz własności idealnej struktury MIS (MOS) - wytwarzanie stanu akumulacji, zubożenia i inwersji w półprzewodniku.
Obwód prądu przepływającego od źródła do drenu zamyka sie przez obszar przypowierzchniowy pp leżący pod warstwa dielektryka. Od jego konduktancji zależy wartość prądu źródło-dren. W zależności od polaryzacji bramki (kontaktowej różnicy potencjałów, ładunku w dielektryku, stanów powierzchniowych) w pp tworzy się pod bramką warstwa akumulacyjna (dużo elektronów, mało dziur), zubożona (mało elektronów, mało dziur) lub inwersyjna (mało elektronów, dużo dziur).
- w przypadku akumulacji lub zubożenia droga od źródła do drenu odpowiada dwóm
złączom p+-n włączonym szeregowo przeciwstawnie - prąd źródło-dren ma znikomą wartość
(niezależnie od polaryzacji dren-źródło) - prąd wsteczny jednego ze złączy
- w przypadku inwersji obszary p+ źródła i drenu połączone są warstwa inwersyjna o
tym samym typie przewodnictwa (dużo dziur, mało elektronów). Istnienie kanału typu p
umożliwia przepływ dużego prądu dziurowego miedzy źródłem i drenem. Zmiany napięcia
bramki modulują konduktancje kanału sterując wartością prądu źródło-dren.
Przedstaw klasyfikację tranzystorów MIS i opisz zasadę ich działania. Wymień odmiany technologiczne tranzystorów MIS. Wymień i opisz odmiany „układowe” tranzystorów MIS.
W przeciwieństwie do tranzystorów bipolarnych, których działanie zależy od
dwóch rodzajów nośników ładunku (i dziur i elektronów), w tranzystorze unipolarnym
(polowym) o przepływie prądu decyduje tylko jeden rodzaj nośników - i są to albo dziury albo elektrony.
Tranzystor MOS polaryzuje się tak, żeby jeden rodzaj nośników (nie ma nośników większościowych i mniejszościowych - elektrony w kanale typu N, dziury w kanale typu P) płynęły od źródła do drenu.
Ze względu na przewodnictwo kanału tranzystory MIS można podzielić na dwa rodzaje: tranzystor MIS z kanałem typu , w którym występuj przewodnictwo dziurowe, tranzystor MIS z kanałem typu n, w którym występuj przewodnictwo elektronowe. Ze względu na różnice w zjawiskach fizycznych (różnice w sposobie modulacji przewodności kanału) tranzystory MIS dzielimy na dwa rodzaje: z kanałem zaindukowanym, czyli z kanałem w postaci warstwy inwersyjnej, z kanałem wbudowanym, czyli z kanałem w postaci warstwy domieszkowanej o przeciwnym typie przewodnictwa niż podłoże. Różnice te obrazowo przedstawia poniższy rysunek 2. Dla łatwiejszego porównania zjawisk przyjęto, że w obu tranzystorach przewodności kanałów są identyczne przy napięciu U ... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz