To tylko jedna z 2 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
Przedstaw budowę struktury i układ polaryzacji tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n. Schemat polaryzacji tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n
Budowa struktury
Skrót MOSFET pochodzi od angielskiego określenia Metal-Oxide-Semiconductor FET, co oznacza tranzystor polowy (FET - ang. Field Effect Transistor) o strukturze: metal, tlenek, półprzewodnik. Istnieje również alternatywny, ale rzadko spotykany skrót MISFET, pochodzący od Metal-Insulator-Semiconductor FET (insulator - dielektryk).
W podłożu - płytce słabo domieszkowanego półprzewodnika typu P albo N tworzone są dwa małe obszary o przeciwnym typie przewodnictwa - odpowiednio N+ lub P+ (N+/P+ oznacza silne domieszkowanie tych obszarów). Te silnie domieszkowane obszary tworzą dren oraz źródło do których doprowadzane są kontakty. Powierzchnia półprzewodnika pomiędzy drenem i źródłem jest pokryta cienką warstwą dielektryka (izolatora), grubość tej warstwy jest rzędu kilkunastu nanometrów. Na dielektryk napylana jest warstwa materiału przewodzącego (metalu) tworząca bramkę.
Polaryzacja drenu i bramki jest zerowa. W takiej sytuacji brak jest połączenia
pomiędzy drenem a źródłem
Bramka spolaryzowana dostatecznie dużym napięciem UGS0. W takiej sytuacji
dzięki utworzeniu warstwy inwersyjnej typu „n” zostanie dokonane połączenie
elektryczne
Gdy zostanie podwyższony potencjał drenu UDS0 to popłynie prąd drenu ID tym
większy im większe będzie napięcie IDS
Przy dalszym wzroście potencjału na drenie punkt zamknięcia kanału będzie przesuwał
się w kierunku źródła. Wzrost napięcia drenu UDS powyżej wartości napięcia bramki
będzie powodował tylko nieznaczny wzrost napięcia drenu ID.
Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n.
Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n.
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)