Pytania i odpowiedzi do egzaminu 71-80

Nasza ocena:

3
Pobrań: 28
Wyświetleń: 483
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Pytania i odpowiedzi do egzaminu 71-80 - strona 1 Pytania i odpowiedzi do egzaminu 71-80 - strona 2 Pytania i odpowiedzi do egzaminu 71-80 - strona 3

Fragment notatki:

71. Gdzie znajduje się punkt zerowej zależności prądu drenu tranzystora polowego od temepratury?
W miejscu przecięcia się rodziny charakterystyk przejściowych znajduje się punkt o zerowym współczynniku temperaturowym prądu drenu.
W tranzystorach polowych największe znaczenie mają zmiany temperaturowe charakterystyki przejściowej . Zależność temperaturowa prądu drenu jest określona przez zmiany temperaturowe następujących dwu parametrów fizycznych:
- ruchliwości nośników w kanale ၭ,
- potencjału Fermiego .
72. Jaki wpływ na charakterystyki JFET-a ma rezystancja źródła i drenu?
Charakterystyki wyjściowe i przejściowe leżą poniżej tych idealnych, gdyż przy takich samych napięciach i wartości efektywne napięć są mniejsze (właśnie o spadki na tych rezystancjach).
73. Wrysować model wielkosygnałowy asymetrycznego JFET-a w jego strukturę złączową.
Wielkosygnałowy model tranzystora składa się ze źródła prądowego opisanego równaniem oraz dwóch zaporowo spolaryzowanych diod o pojemnościach złączowych i , których suma równa jest pojemności bramki rozłożonej pomiędzy elektrody źródła i drenu: .
74. Porównać małosygnałową konduktancję drenu w zakresie liniowym z transkonduktancją tranzystora polowego w zakresie nasycenia.
Konduktancja drenu (kanału) , albo konduktancja wyjściowa :
Transkonduktancja:
W zakresie liniowym konduktancja wynosi:
W zakresie nasycenia transkonduktancja wynosi:
Podsumowując: są one równe.
75. W jakim zakresie napięć transkunduktancja JFET-a jest największa?
Definicja transkonduktancji: Transkonduktancja będzie więc największa, gdy największy będzie współczynnik kierunkowy stycznej do wykresu funkcji przedstawionej obok (charakterystyka przejściowa). Nastąpi to dla , gdzie to napięcie odcięcia, czyli napięcie, przy którym zanika prąd drenu i następuje odcięcie tranzystora.
76. Oszacować wartości pojemności bramki JFETa i rozdzielić ja na pojemność wejściową i przejściową w zakresie nasycenia.
Mimo, że pojemność bramki jest rozłożona wzdłuż kanału, to dla uproszczenia jest ona reprezentowana w modelu zastępczym tranzystora JFET (rysunek) przez wielkości:
- pojemność bramka - dren ,
- pojemność bramka - źródło ,
zależnie od właściwych napięć

(…)

… transkoduktancję w zakresie nasycenia JFET-a.
Definicja transkonduktancji: . W zakresie nasycenia transkonduktancja jest pochodną cząstkową równania .
Zatem ,
gdzie .


71. Gdzie znajduje się punkt zerowej zależności prądu drenu tranzystora polowego od temepratury?
W miejscu przecięcia się rodziny charakterystyk przejściowych znajduje się punkt o zerowym współczynniku temperaturowym prądu drenu.
W tranzystorach polowych największe znaczenie mają zmiany temperaturowe charakterystyki przejściowej . Zależność temperaturowa prądu drenu jest określona przez zmiany…
... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz