To tylko jedna z 2 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
AGH, WIET
ELEMENTY ELEKTRONICZNE - LABORATORIUM
Rok 1 EiT
Nr ćwiczenia:
6
Temat:
Przełączanie tranzystorów bipolarnych
Data wykonania:
22-04-2013
Imię i nazwisko:
Tomasz Durlatka, Szymon Turek
Ocena:
1.Cel ćwiczenia:
Celem ćwiczenia są obserwacje przełączania tranzystorów bipolarnych sterowanych impulsami prądowymi o przeciwnych kierunkach (+I, -I) oraz pomiary czasów przełączania i wyznaczenie charakterystycznych stałych czasowych definiujących własności impulsowe tranzystorów.
2.Teoria:
Tranzystor bipolarny:
To odmiana tranzystora, półprzewodnikowy element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału. Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa. Charakteryzuje się tym, że niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego elektrodami, nazywanymi bazą i emiterem, steruje większym prądem płynącym między emiterem, a trzecią elektrodą , nazywaną kolektorem.
Budowa tranzystora bipolarnego:
Tranzystor bipolarny składa się z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa: p-n-p lub n-p-n (istnieją więc dwa rodzaje tranzystorów bipolarnych: pnp i npn). Poszczególne warstwy noszą nazwy:
-emiter (oznaczony przez E) warstwa silnie domieszkowana -baza (oznaczona przez B) warstwa cienka i słabo domieszkowana
-kolektor (oznaczony przez C)
W ten sposób tworzą się dwa złącza p-n: baza-emiter (nazywane krótko złączem emitera) oraz baza-kolektor (nazywane złączem kolektora).
Schemat tranzystora npn: Schemat tranzystora pnp: Tranzystor wykorzystywany w ćwiczeniu:
Zasada działania tranzystora bipolarnego:
W normalnych warunkach pracy złącze kolektora jest spolaryzowane zaporowo. Napięcie przyłożone do złącza baza-emiter w kierunku przewodzenia powoduje przepływ prądu przez to złącze - nośniki z emitera (elektrony w tranzystorach npn lub dziury w tranzystorach pnp) przechodzą do obszaru bazy (stąd nazwa elektrody: emiter, bo emituje nośniki). Nośników przechodzących w przeciwną stronę, od bazy do emitera jest niewiele, ze względu na słabe domieszkowanie bazy. Nośniki wprowadzone z emitera do obszaru bazy dyfundują w stronę mniejszej ich koncentracji - do kolektora. Dzięki niewielkiej grubości obszaru bazy trafiają do obszaru drugiego złącza, a tu na skutek pola elektrycznego w obszarze zubożonym są przyciągane do kolektora.
(…)
… dużego prądu między kolektorem a emiterem. Stosunek prądu kolektora do prądu bazy nazywany jest wzmocnieniem prądowym tranzystora i oznacza się grecką literą β.
Przepływ prądów w tranzystorze npn Przepływ prądów w tranzystorze pnp
Stany pracy tranzystora bipolarnego:
W zależności od punktu pracy tranzystor może znajdować się w czterech stanach:
- Stan aktywny, w którym prąd kolektora jest β razy większy…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)