To tylko jedna z 4 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
TRANZYSTOR BIPOLARNY Struktura tranzystora bipolarnego składa się z trzech warstw wytworzonych na płytce monokrystalicznego półprzewodnika, kolejno npn lub pnp. Warstwy te są nazywane zgodnie z ich funkcjami: E – emiter – dostarcza nośniki mniejszościowe do bazy, B – baza – stanowi podstawę dla obu złączy, C – kolektor – zabiera nośniki wstrzykiwane z emitera do bazy. Obszar emitera Obszar bazy Obszar kolektora Bariera emiterowa przy U BE=0 Bariera kolektorowa przy U =0 CB n p n a) Bariera emiterowa przy U BE0 CB Obszar emitera Obszar bazy Obszar kolektora n n p b) Obszar emitera Obszar bazy Obszar kolektora n n p Bariera emiterowa Bariera kolektorowa Elektrony Prąd unoszenia Prąd dyfuzyjny Prąd rekombinacyjny Prąd dyfuzyjny Dziury c) Rys. 2. Położenie barier potencjału i przepływające prądy w tranzystorze bipolarnym npn: a) położenie barier w stanie równowagi; b) położenie barier w stanie aktywnym; c)prądy nośników w stanie aktywnym. Potencjał bazy, jako punkt’ odniesienia, został przyjęty za zero. Obszar emitera Obszar bazy Obszar kolektora Bariera emiterowa przy U BE=0 Bariera kolektorowa przy U =0 CB n p n a) Bariera emiterowa przy U BE0 CB Obszar emitera Obszar bazy Obszar kolektora n n p b) Obszar emitera Obszar bazy Obszar kolektora n n p Bariera emiterowa Bariera kolektorowa Elektrony Prąd unoszenia Prąd dyfuzyjny Prąd rekombinacyjny Prąd dyfuzyjny Dziury c) Rys. 2. Położenie barier potencjału i przepływające prądy w tranzystorze bipolarnym npn: a) położenie barier w stanie równowagi; b) położenie barier w stanie aktywnym; c)prądy nośników w stanie aktywnym. Potencjał bazy, jako punkt’ odniesienia, został przyjęty za zero. W stanie równowagi, bez polaryzacji (rys. a), przechodzenie elektronów z emitera i kolektora do bazy oraz dziur z bazy do obu sąsiednich obszarów jest hamowane przez pole utworzone przy obu złączach. Spolaryzowanie złącza emiterowego w kierunku przewodzenia, tzn. przyłożenie na emiter napięcia ujemnego względem bazy, powoduje obniżenie bariery emiterowej rys. b). Przez złącze emiter-baza płynie wtedy prąd dyfuzyjny. Wskutek bowiem obniżenia bariery potencjału zostaje zwiększona liczba elektronów wprowadzanych do bazy i zmniejszona liczba dziur wprowadzanych do emitera rys. c). Nadmiarowe elektrony wprowadzane do wąskiej bazy poruszają się ruchem
(…)
…’
cc
b’
Ucb
rbb’
WPŁYW SZ NA PARAMETRY WZMACN.
1. Wzmocnienie.
DSZ: Kβ = K/(1-β⋅K)
USZ: Kβ = K/(1+β⋅K), czyli wzmocnienie wzmacn. z USZ jest tym mniejsze, im silniejsze jest
sprzężenie (czyli β) oraz im większe jest wzmocnienie przed zast. sprzężenia (K).
2. Zniekształcenia liniowe. USZ zmniejsza zniekształcenia liniowe, ch-ka częstotl. staje się
bardziej płaska a pasmo przenoszonych częst. – szersze…
… ten jest jednorodnie domieszkowany . Przy
niejednorodnym domieszkowaniu obszaru bazy przepływ wstrzykniętych nośników jest
przyśpieszony działaniem pola elektrycznego, jakie powstaje wówczas w obszarze bazy. Po drodze
część tych elektronów rekombinuje z dziurami, które są nośnikami większościowymi w obszarze
bazy. Nadmiarowe dziury wprowadzane natomiast z obszaru bazy do obszaru emitera rekombinują
z istniejącymi…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)