Elektronika - Tranzystor bipolarny

Nasza ocena:

3
Pobrań: 126
Wyświetleń: 749
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Elektronika - Tranzystor bipolarny - strona 1 Elektronika - Tranzystor bipolarny - strona 2 Elektronika - Tranzystor bipolarny - strona 3

Fragment notatki:

TRANZYSTOR BIPOLARNY Struktura tranzystora bipolarnego składa się z trzech warstw wytworzonych na płytce  monokrystalicznego półprzewodnika, kolejno npn lub pnp. Warstwy te są nazywane zgodnie z ich  funkcjami: E – emiter – dostarcza nośniki mniejszościowe do bazy, B – baza – stanowi podstawę  dla obu złączy, C – kolektor – zabiera nośniki wstrzykiwane z emitera do bazy. Obszar emitera Obszar bazy Obszar kolektora Bariera emiterowa przy U BE=0 Bariera kolektorowa przy U =0 CB n p n a) Bariera emiterowa przy U BE0 CB Obszar emitera Obszar bazy Obszar kolektora n n p b) Obszar emitera Obszar bazy Obszar kolektora n n p Bariera emiterowa Bariera kolektorowa Elektrony Prąd unoszenia Prąd dyfuzyjny Prąd  rekombinacyjny Prąd dyfuzyjny Dziury c) Rys. 2. Położenie barier potencjału i przepływające prądy w tranzystorze             bipolarnym npn: a) położenie barier w stanie równowagi;             b) położenie barier w stanie aktywnym;             c)prądy nośników w stanie aktywnym. Potencjał bazy, jako punkt’             odniesienia, został przyjęty za zero. Obszar emitera Obszar bazy Obszar kolektora Bariera emiterowa przy U BE=0 Bariera kolektorowa przy U =0 CB n p n a) Bariera emiterowa przy U BE0 CB Obszar emitera Obszar bazy Obszar kolektora n n p b) Obszar emitera Obszar bazy Obszar kolektora n n p Bariera emiterowa Bariera kolektorowa Elektrony Prąd unoszenia Prąd dyfuzyjny Prąd  rekombinacyjny Prąd dyfuzyjny Dziury c) Rys. 2. Położenie barier potencjału i przepływające prądy w tranzystorze             bipolarnym npn: a) położenie barier w stanie równowagi;             b) położenie barier w stanie aktywnym;             c)prądy nośników w stanie aktywnym. Potencjał bazy, jako punkt’             odniesienia, został przyjęty za zero. W stanie równowagi, bez polaryzacji (rys. a), przechodzenie elektronów z emitera i kolektora do  bazy oraz dziur z bazy do obu sąsiednich obszarów jest hamowane przez pole utworzone przy obu  złączach. Spolaryzowanie złącza emiterowego w kierunku przewodzenia, tzn. przyłożenie na emiter  napięcia ujemnego względem bazy, powoduje obniżenie bariery emiterowej rys. b). Przez złącze  emiter-baza płynie wtedy prąd dyfuzyjny. Wskutek bowiem obniżenia bariery potencjału zostaje  zwiększona liczba elektronów wprowadzanych do bazy i zmniejszona liczba dziur wprowadzanych  do emitera rys. c). Nadmiarowe elektrony wprowadzane do wąskiej bazy poruszają się ruchem 

(…)

…’
cc
b’
Ucb
rbb’
WPŁYW SZ NA PARAMETRY WZMACN.
1. Wzmocnienie.
DSZ: Kβ = K/(1-β⋅K)
USZ: Kβ = K/(1+β⋅K), czyli wzmocnienie wzmacn. z USZ jest tym mniejsze, im silniejsze jest
sprzężenie (czyli β) oraz im większe jest wzmocnienie przed zast. sprzężenia (K).
2. Zniekształcenia liniowe. USZ zmniejsza zniekształcenia liniowe, ch-ka częstotl. staje się
bardziej płaska a pasmo przenoszonych częst. – szersze…
… ten jest jednorodnie domieszkowany . Przy
niejednorodnym domieszkowaniu obszaru bazy przepływ wstrzykniętych nośników jest
przyśpieszony działaniem pola elektrycznego, jakie powstaje wówczas w obszarze bazy. Po drodze
część tych elektronów rekombinuje z dziurami, które są nośnikami większościowymi w obszarze
bazy. Nadmiarowe dziury wprowadzane natomiast z obszaru bazy do obszaru emitera rekombinują
z istniejącymi…
... zobacz całą notatkę



Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz