Wykład - wzmacniacz tranzystorowy w układzie WE
- Politechnika Wrocławska
- Elementy i układy elektroniczne
wykorzystaliśmy tranzystor BC847B o danych katalogowych : , UCesat = 90mV, fT = 250 MHz, ICB0 = 15 nA, Cbe = 8 pF...
Ta witryna wykorzystuje pliki cookie, dowiedz się więcej.
wykorzystaliśmy tranzystor BC847B o danych katalogowych : , UCesat = 90mV, fT = 250 MHz, ICB0 = 15 nA, Cbe = 8 pF...
a źródłem tranzystora pracującego w zakresie liniowym charakterystyki ID = f(UDS) przy UGS=0; •Rezystancja...
- duża rezystancja wsteczna, mała rezystancja przewodzenia 4. Tranzystor IFET jako klucz 5. Tranzystor...
unipolarnym, czyli wykorzystującym jeden typ nośników. Tranzystory te charakteryzują się dużą rezystancją...
jest inwerter, składający się z dwóch komplementarnych tranzystorów polowych typu MOS, pracujących...
tranzystorów. Konspekt 1. Pomiary 0(T) oraz UBE(T) Pomiary realizowane są w układzie przedstawionym na rys.9...
dla każdego tranzystora zależy od wartości napięcia wejściowego U1 oraz od tego, w jakim stanie układ...
71. Gdzie znajduje się punkt zerowej zależności prądu drenu tranzystora polowego od temepratury...
) • temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji • rezystancja dynamiczna rz • maksymalna moc strat (admisyjna...
. Statyczna (a) i dynamiczna (b) prosta pracy w polu charakterystyk wyjściowych iC(uCE) tranzystora. Punkt...