To tylko jedna z 3 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
Rodzaje diod: PROSTOWNICZE – warstwowe o dużej powierzchni złącz. Duża pojemność, częstotliwość graniczna jest to wartość czę- stotliwości U, przy której średnia wartość zwarciowego prądu przyrost. jest mniejsza od wartości przy małej częstotliwości o określoną wielkość np. 20%. URgr- napięcie przebicia, URdop – napięcie wsteczne bezpieczne, URm- maksymalna wartość na- pięcia impuls. IR/Ur – prąd przy napięciu wstecznym, If – średnia wartość prądu wyprostowanego, IFm – wartość szczytowa prądu wyprostowanego, UF/If – wartość napięcia przy danym prądzie (spadek napięcia), tjdop – dopuszczalna temp złącza, k – zdolność wymiany temp z otoczeniem, Pa – moc admisyjna I0=Im/2*Pi IMPULSOWE – pojemność rzędu pF, czas przełączania rzędu nSek lub pSek, Są to tzw diody ostrzo- we lub Messa STABILIZACYJNE (Zenera) – do stabilizacji lub ograniczenia ampli tudy napięcia. rd – rezy stancja dy- namiczna = du/di ≈ ∆U/∆I diody o małym Uz mają duże rezystancje. Mini mum dla diody to Uz=5V. β=(1/Uz)dUz/dt – względny wsp termicznych zmian stab. Parametry: Uz – nap stabilizacji, rd, POJEMNOŚCIOWA – duża zależność od napięcia. DETEKCYJNE i MIESZAJĄCE – pracują w dużym zakresie częstotliwości przy amplitudach niskiego poziomu i małych amplitudach napięcia. GENERACYJNE – (Granna , lawinowe, tunelowe) mała amplituda nap. MODULUJĄCE, PRZEŁĄCZAJĄCE, TŁUMIĄCE (p-i-n) dedykowane są dużym częstotliwościom. Tranzystor bipolarny jest strukturą trzywarstwową o trzech elektrodach zewnętrznych, emiterze (E), bazie (B) i kolektorze (C). Może być strukturą p-n-p lub n-p- n. Obszar emitera jest zawsze silniej domieszkowany niż baza a kolektor słabiej. Z tego wynika fakt, że sposób włą- czenia w obwód nie jest obojętny. W normalnych warunkach pracy złącze BE jest polaryzowane w kierunku przewodze- nia, BC wstecznie a sterowanie pracą odbywa się przez zmianę prądu BE. Tranzystor może być włączony na trzy sposoby: układ wspólnego emitera (OE), bazy (OB) oraz kolek- tora (OC) a) wej, b) przejść c) oddział wsteczn. d) wyj Charakterystyka wyjściowa definiuje obszary pracy tran- zystora: obszar odcięcia – powyżej krzywej dla IB=0, oba złącza są spolaryzowane wste cznie; nasycenia – nara- stająca część charakterystyk, oba złącza spolaryzo wane w kierunku przewodzenia; aktywny – pomiędzy obszarem aktywnym i nasycenia, złącze EB w kierunku przewodze- nia, CB wstecznie; bezpiecznej pracy (SOA) – fragmenty
(…)
… oC). Wysokich – gwałtowna generacja termiczna (pary elektron – dziura) złącze przestaje istnieć (zjawisko odwracalne).
qU
go
kT
S
S
W
e − 1 I ≈ exp −
I= I
kT
T↑ Is↑
Wg↑ Is ↓
Wg – szerokość pasma zabronionego
Tjgr – aby złącze nie straciło swoich właściwości nie można tej
temp przekroczyć.
Tidop – temp dopuszczalna zapewnia bezp warunki pracy (80%
Tjgr).
Pa – moc admisyjna = (Tjdop – Ta)/k
Ta – temp otoczenia, k – opór cieplny pomiędzy złączem a
otoczeniem. Zjawisko przebicia cieplnego złącza (sprzężenie
cieplne):
T↑ Is↑ I↑P↑T↑
…
…
Charakterystyka wyjściowa definiuje obszary pracy tranzystora: obszar odcięcia – powyżej krzywej dla I B=0, oba
złącza są spolaryzowane wste cznie; nasycenia – narastająca część charakterystyk, oba złącza spolaryzo wane
w kierunku przewodzenia; aktywny – pomiędzy obszarem
aktywnym i nasycenia, złącze EB w kierunku przewodzenia, CB wstecznie; bezpiecznej pracy (SOA) – fragmenty
w/w obszarów ogr z góry hiperbolą…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)