Elektronika - Rodzaje diod

Nasza ocena:

5
Pobrań: 35
Wyświetleń: 763
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Elektronika - Rodzaje diod - strona 1 Elektronika - Rodzaje diod - strona 2 Elektronika - Rodzaje diod - strona 3

Fragment notatki:

Rodzaje diod:  PROSTOWNICZE   –   warstwowe   o   dużej   powierzchni   złącz.  Duża pojemność, częstotliwość graniczna jest to wartość czę- stotliwości U, przy której średnia wartość zwarciowego prądu  przyrost. jest mniejsza od wartości przy małej częstotliwości o  określoną wielkość np. 20%. URgr- napięcie przebicia, URdop  –  napięcie wsteczne bezpieczne, URm- maksymalna wartość na- pięcia impuls. IR/Ur – prąd przy napięciu wstecznym, If – średnia  wartość prądu wyprostowanego, IFm – wartość szczytowa prądu  wyprostowanego, UF/If – wartość napięcia przy danym prądzie  (spadek napięcia), tjdop – dopuszczalna temp złącza, k – zdolność wymiany temp z otoczeniem, Pa –  moc admisyjna I0=Im/2*Pi IMPULSOWE  – pojemność rzędu pF, czas przełączania rzędu nSek lub pSek, Są to tzw diody ostrzo- we lub Messa STABILIZACYJNE (Zenera) – do stabilizacji lub ograniczenia ampli tudy napięcia. rd – rezy stancja dy- namiczna = du/di  ≈ ∆U/∆I diody o małym Uz mają duże rezystancje. Mini mum dla diody to Uz=5V.  β=(1/Uz)dUz/dt – względny wsp termicznych zmian stab. Parametry: Uz – nap stabilizacji, rd,  POJEMNOŚCIOWA  – duża zależność od napięcia.  DETEKCYJNE i MIESZAJĄCE  – pracują w dużym zakresie częstotliwości przy amplitudach niskiego  poziomu i małych amplitudach  napięcia.  GENERACYJNE – (Granna , lawinowe, tunelowe) mała amplituda nap. MODULUJĄCE, PRZEŁĄCZAJĄCE, TŁUMIĄCE (p-i-n) dedykowane są dużym częstotliwościom. Tranzystor bipolarny  jest strukturą trzywarstwową o trzech elektrodach zewnętrznych, emiterze (E),  bazie (B) i kolektorze (C). Może być strukturą p-n-p lub n-p- n. Obszar emitera jest zawsze  silniej domieszkowany  niż  baza a kolektor słabiej. Z tego wynika fakt, że sposób włą- czenia w obwód nie jest obojętny. W normalnych warunkach  pracy złącze BE jest polaryzowane w kierunku przewodze- nia, BC wstecznie a sterowanie pracą odbywa się przez  zmianę prądu BE.  Tranzystor może być włączony na trzy sposoby: układ wspólnego emitera (OE), bazy (OB) oraz kolek- tora (OC) a) wej, b) przejść  c) oddział wsteczn. d) wyj Charakterystyka wyjściowa definiuje obszary pracy tran- zystora: obszar odcięcia – powyżej krzywej dla IB=0, oba  złącza są spolaryzowane wste cznie; nasycenia – nara- stająca część charakterystyk, oba złącza spolaryzo wane  w kierunku przewodzenia; aktywny – pomiędzy obszarem  aktywnym i nasycenia, złącze EB w kierunku przewodze- nia, CB wstecznie; bezpiecznej pracy (SOA) – fragmenty 

(…)

… oC). Wysokich – gwałtowna generacja termiczna (pary elektron – dziura) złącze przestaje istnieć (zjawisko odwracalne).
qU
go
kT
S
S


 W 
 e − 1 I ≈ exp −

I= I 

 kT 


T↑ Is↑
Wg↑ Is ↓
Wg – szerokość pasma zabronionego
Tjgr – aby złącze nie straciło swoich właściwości nie można tej
temp przekroczyć.
Tidop – temp dopuszczalna zapewnia bezp warunki pracy (80%
Tjgr).
Pa – moc admisyjna = (Tjdop – Ta)/k
Ta – temp otoczenia, k – opór cieplny pomiędzy złączem a
otoczeniem. Zjawisko przebicia cieplnego złącza (sprzężenie
cieplne):
T↑ Is↑ I↑P↑T↑


Charakterystyka wyjściowa definiuje obszary pracy tranzystora: obszar odcięcia – powyżej krzywej dla I B=0, oba
złącza są spolaryzowane wste cznie; nasycenia – narastająca część charakterystyk, oba złącza spolaryzo wane
w kierunku przewodzenia; aktywny – pomiędzy obszarem
aktywnym i nasycenia, złącze EB w kierunku przewodzenia, CB wstecznie; bezpiecznej pracy (SOA) – fragmenty
w/w obszarów ogr z góry hiperbolą
... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz