To tylko jedna z 4 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
1 Ćwiczenie 28 Zdejmowanie charakterystyk tranzystora I. Zagadnienia do samodzielnego opracowania 1. Rodzaje półprzewodników i ich własności. 2. Model pasmowy półprzewodników. 3. Przewodnictwo samoistne i domieszkowe półprzewodników 4. Działanie złącza p-n . II. Wprowadzenie Działanie tranzystora warstwowego Własności złączy p-n wykorzystano również w triodzie półprzewodnikowej zwanej tranzystorem. Obecnie stosuje się wiele odmian tranzystorów. Dzielimy je na unipolarne i bipolarne. Zajmiemy się jedynie zasadą działania tranzystorów bipolarnych, w których występują dwa rodzaje nośników ładunku elektrycznego. Tranzystor bipolarny posiada dwa złącza p-n , wytworzone w monokrysztale w niewielkiej od siebie odległości. W zależności od rozmieszczenia poszczególnych rodzajów półprzewodnika wyróżniamy tranzystory typu p-n-p i n-p-n . Rozmieszczenie warstw oraz ich nazwy przedstawiono na rys. 1. E C B p typ n - p - n n emiter baza kolektor p p n n typ p - n - p E E E C C C B B B Rys. 1. Budowa tranzystorów n-p-n i p-n-p Na rys. 2 uwidoczniono jeden ze sposobów podłączenia tranzystora do obwodu, który zwiemy układem ze wspólną bazą. + + I I I e b c n p n E C B Rys. 2. Schemat podłączenia tranzystora do obwodu ze wspólną bazą Złącze emiter - baza polaryzuje się w kierunku przewodzenia, a złącze kolektor - baza w kierunku zaporowym. W tranzystorze grubość warstwy zawartej między dwoma 2 złączami, czyli bazy jest mała w porównaniu z długością drogi nośników większościowych emitera. Wówczas własności złącz są wzajemnie zależne. Przy zbyt oddalonych złączach układ zachowywałby się jak dwie diody. Ponadto obszar emitera zawiera o kilka rzędów więcej nośników większościowych niż obszar bazy. Działanie tranzystorów n-p-n oraz p-n-p jest podobne. Różnią się one tym, że w tranzystorach n-p-n nośnikami ładunku elektrycznego przepływającego przez bazę są elektrony, natomiast w tranzystorach p-n-p - dziury. Zasadę działania tranzystora omówimy na przykładzie typu n-p-n . Pod wpływem napięcia dostarczanego z baterii zasilającej obwód emitera, włączonego w kierunku przewodzenia, przez złącze n-p przepływa strumień elektronów, które tworzą prąd emitera o natężeniu e I . Dzięki bardzo małej grubości bazy prawie wszystkie elektrony przepływające z emitera do bazy dostają się w obręb silnego pola drugiego złącza i przepływają do kolektora, tworząc prąd kolektorowy o natężeniu c I . Jedynie nieznaczna ich część, około 2% rekombinuje z większościowymi nośnikami bazy. Możemy, więc napisać
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)