Zdejmowanie charakterystyki tranzystora - omówienie

Nasza ocena:

3
Pobrań: 490
Wyświetleń: 1806
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Zdejmowanie charakterystyki tranzystora - omówienie - strona 1 Zdejmowanie charakterystyki tranzystora - omówienie - strona 2 Zdejmowanie charakterystyki tranzystora - omówienie - strona 3

Fragment notatki:

  1 Ćwiczenie 28  Zdejmowanie charakterystyk tranzystora  I. Zagadnienia do samodzielnego opracowania  1.  Rodzaje półprzewodników i ich własności.  2.  Model pasmowy półprzewodników.  3.  Przewodnictwo samoistne i domieszkowe półprzewodników  4.  Działanie złącza  p-n .  II. Wprowadzenie  Działanie tranzystora warstwowego    Własności złączy   p-n  wykorzystano również w triodzie półprzewodnikowej  zwanej tranzystorem. Obecnie stosuje się wiele odmian tranzystorów. Dzielimy je na  unipolarne i  bipolarne. Zajmiemy się jedynie zasadą działania tranzystorów  bipolarnych, w których występują dwa rodzaje nośników ładunku elektrycznego.    Tranzystor bipolarny posiada dwa złącza   p-n , wytworzone w monokrysztale w  niewielkiej od siebie odległości. W zależności od rozmieszczenia poszczególnych  rodzajów półprzewodnika wyróżniamy tranzystory typu  p-n-p  i  n-p-n . Rozmieszczenie  warstw oraz ich nazwy przedstawiono na rys. 1.  E C B p typ n - p - n n emiter       baza      kolektor p p n n typ p - n - p E E E C C C B B B   Rys. 1. Budowa tranzystorów  n-p-n  i  p-n-p    Na rys. 2 uwidoczniono jeden ze sposobów podłączenia tranzystora do obwodu,  który zwiemy układem ze wspólną bazą.   + + I I I e b c n p n E C B   Rys. 2. Schemat podłączenia tranzystora do obwodu ze wspólną bazą  Złącze emiter - baza polaryzuje się w kierunku przewodzenia, a złącze kolektor - baza  w kierunku zaporowym. W tranzystorze grubość warstwy zawartej między dwoma    2  złączami, czyli bazy jest mała w porównaniu z długością drogi nośników  większościowych emitera. Wówczas własności złącz są wzajemnie zależne. Przy zbyt  oddalonych złączach układ zachowywałby się jak dwie diody. Ponadto obszar emitera  zawiera o kilka rzędów więcej nośników większościowych niż obszar bazy.   Działanie tranzystorów  n-p-n  oraz  p-n-p  jest podobne. Różnią się one tym, że w  tranzystorach   n-p-n  nośnikami  ładunku elektrycznego przepływającego przez bazę  są  elektrony, natomiast w tranzystorach  p-n-p  - dziury. Zasadę działania tranzystora  omówimy na przykładzie typu  n-p-n . Pod wpływem napięcia dostarczanego z baterii  zasilającej obwód emitera, włączonego w kierunku przewodzenia, przez złącze   n-p   przepływa strumień elektronów, które tworzą prąd emitera o natężeniu   e I  . Dzięki  bardzo małej grubości bazy prawie wszystkie elektrony przepływające z emitera do  bazy dostają się w obręb silnego pola drugiego złącza i przepływają do kolektora,  tworząc prąd kolektorowy o natężeniu   c I  . Jedynie nieznaczna ich część, około 2%  rekombinuje z większościowymi nośnikami bazy. Możemy, więc napisać  ... zobacz całą notatkę



Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz