To tylko jedna z 2 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych
Temat ćwiczenia:
Wpływ oświetlenia na półprzewodnik (fotorezystor)oraz złącze p-n.
Wykonujący ćwiczenie:
Nr ćwiczenia:
5
Data ćwiczenia
Ocena
Wykonujący sprawozdanie:
Pierwszym wykonanym pomiarem było wyznaczenie wartości natężenia światła w zaznaczonych punktach pomiarowych przy pomocy luksomierza. Źródłem światła była żarówka halogenowa z rzutnika.
Punkt pomiarowy
1
2
3
4
5
6
7
8
E [klux]
124,5
83,4
53,5
24,5
15,45
12,12
8,56
6,10
Następnie wykonaliśmy pomiar charakterystyki R-1=f(E) dla fotorezystora RPP 111 w układzie:
Uzyskane wyniki:
Położenie
R [kΩ]
G [μS]
1
2,14
467
2
2,84
352
3
3,66
273
4
6,20
161
5
8,28
120
6
10,22
97,8
7
13,18
75,8
8
15,83
63,1
Po wyznaczeniu charakterystyki fotorezystora dokonaliśmy pomiaru charakterystyki fotodiody spolaryzowanej w kierunku zaporowym z użyciem rejestratora x-y i źródła napięcia narastającego w układzie:
Jako, że rejestrator mierzy napięcie, niemożliwe było dokonanie bezpośrednich pomiarów prądu wstecznego złącza, tylko pomiar pośredni spadku napięcia na rezystorze. Po dokonaniu pomiarów przeskalowaliśmy wykres korzystając z wiadomych ustawień czułości torów rejestratora.
Ostatnim pomiarem do wykonania był pomiar charakterystyki U=f(I) fotoogniwa z użyciem rejestratora x-y w układzie:
Uzyskane charakterystyki są poprawnego kształtu, jednak z powodu nie zaznaczenia osi układu niemożliwe stało się wyznaczenie parametrów określonych w instrukcji. W związku z tym przeprowadziliśmy obliczenia dla wykresów książkowych.
Maksymalną moc ogniwa obliczamy ze wzoru:
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)