Podstawowe układy wzmacniaczy - wykład

Nasza ocena:

3
Pobrań: 35
Wyświetleń: 1246
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Podstawowe układy wzmacniaczy - wykład - strona 1 Podstawowe układy wzmacniaczy - wykład - strona 2 Podstawowe układy wzmacniaczy - wykład - strona 3

Fragment notatki:

***************************** PODSTAWOWE UKŁADY WZMACNIACZY
MODELE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
# MODEL FIZYCZNY EBERSA - MOLLA
Jest kombinacją elementów biernych oraz aktywnych (diod).
Jest stosowany w symulacji komputerowej układów elektronicznych, co daje możliwość badania i przewidywania właściwości układów w różnych warunkach. # MODEL MACIERZOWY Z PARAMETRAMI h
Modele macierzowe są modelami liniowymi i charakteryzują tran jako czwórnik. Wyróżnia się opisy tran przy pomocy macierzy: hybrydowej h, admitacyjnej y i rozproszenia s.
Dla wzm małych częst zwykle stosuje się macierz h o parametrach rzeczywistych. Powstaje ona z równań mieszanych:
i1, u1, i2, u2 - wartości chwilowe sygnałów zmien - nych na wejściu i wyjściu.
impedancja wejściowa;
współczynnik oddziaływania zwrotnego
współczynnik wzmocnienia prądowego;
admitancja wyjściowa.
Parametry te są wyrazami macierzy hybrydowej (mieszanej) - macierzy h.
Parametry te mierzy się przy rozwarciu wejścia (czwórnik z zacisków wej widzi impedancję znacznie większą niż jego) - i1 = 0 lub zwarciu wyjścia (czwórnik widzi imped znacznie mniejszą) - u2 = 0.
Wartości parametrów zależą od rodzaju pracy tranzystora i opisują go w sposób jednoznaczny.
Tożsamościowe związki między parametrami dla różnych konfiguracji.
WE
Wspólny emiter
Tranzystor
BC107 WE
WB
Wspólna baza
WC
Wspólny kolektor
h11
h11e = uCE = const
4 kΩ
h11b = h11c = h11e
h12
h12e = iB = 0
2,2*10-4
h12b = h12c = h21
h21e = uCE = 0
250
h21b = h21c = H22
h22e = iB = 0
20μS
h22b = h22c = h22e
Model tranzystora spełniający układ równań (opisany macierzą h):
Przy uproszczeniu zakładamy, że h12 i h21

(…)

… emiterowe dające dobrą stałość punktu pracy;
Rl - rezystancja obciążenia.
Jest stosowany do wzm sygnałów o szerokim paśmie przenoszonych częst. Nazywany jest wzm o sprzężeniu pojemnościowym lub wzm RC.
W związku z szerokim przedziałem częst można badać wzm w 3 zakresach:
# spadek wzmoc przy małych częst, bo wzrasta reaktancja C1, C2 i CE;
# spadek wzmoc przy dużych częst, zmniejsza się wzmoc tranzyst;
# w środkowej części wzmoc stałe - zakres średnich częst.
Schemat dla średnich częstotliwości:
Uproszczenia:
$ uproszczony model tranzystora opisany macierzą h;
$ dla średnich częst reaktancje są bardzo małe, że miejsce gdzie występują można uznać za zwarcie;
$ rezyst wew źródła napięciowego = 0 (źródło idealne).
Podstawowe parametry wzm to:
Wzmoc nap (minus, bo odwróco faza);
Wzmoc prąd Jest zmniejszone…
… i h21 << 1.
*****************************
MODELE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
Fizyczny model tran unip ↓ jest modelem liniowym
W modelu macierzowym najczęściej występuje macierz admitancyjna y, ponieważ imped tran polowych są duże, czyli łatwo spełnić warunek zwarcia na wejściu i wyjściu.
Elementy modelu tran unip są uzależnione od punktu pracy.
*****************************
wzmacniacze z tranzystorami…
... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz