Inżynieria materiałowa - wykład

Nasza ocena:

3
Pobrań: 119
Wyświetleń: 1008
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Inżynieria materiałowa - wykład - strona 1 Inżynieria materiałowa - wykład - strona 2

Fragment notatki:

1. Sieć krystalograficzna A3 jest oparta na układzie krystalograficznym:   heksagonalnym  regularnym  trójskośnym  2.Wymiana elektronów jest podstawą wiązania:   kowalencyjnego  jonowego  wodorowego  3.W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe:   czterościenne  sześciościenne  ośmiościenne  4.Stopy metaliczne mogą być roztworami stałymi:   różnowęzłowymi międzywęzłowymi  bezwęzłowymi  5.Obwody magnetyczne i magnesy trwałe wykonuje się z:   antyferromagnetyków diamagnetyków  paramagnetyków  6.Materiał magnetyczny twardy powinien mieć dużą wartość:   stratności  indukcji remanencji należenia koercji   7.Stal krzemowa zimnowalcowana jest:   diamagnetykiem  ferromagnetykiem  ferrytem  8.Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest:   dodatni  ujemny  zerowy  9.Napylanie katodowe stosuje się przy wytwarzaniu układów scalonych:   hybrydowych cienkowarstwowych  monolitycznych  hybrydowych  grubowarstwowych  1O. Materiały na rezystory precyzyjne powinny mieć małą wartość:   rezystywności  TWR siły termoelektrycznej   11.Elektrony są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym:   donorowo  akceptorowo  niedomieszkowanym  l2. Do metod domieszkowania materiałów półprzewodnikowych zalicza się:   implantację  topienie  strefowe  transmutacje     13.Epitaksję z fazy gazowej oznacza się w skrócie:   MBE                                    VPE  LPE  14.Złącze p-n jest podstawowym elementem:   warystora  fotodiody  termistora  15.Przewodność elektryczna dielektryków ma przede wszystkim charakter:   elektronowy  jonowy  dipolowy  16.Rezonansowa i bezstratna jest polaryzacja:   dipolowa  elektronowa   atomowa  1.Sieci krystalograficzne Al i A2 są oparte na układzie krystalograficznym:   heksagonalnym  regularnym  trójskośnym  2.Wymiana elektronów jest podstawą wiązania:   kowalencyjnego  jonowego  wodorowego  3.W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe:   czterościenne  sześciościenne  ośmiościenne  4.Dyslokacja krawędziowa w materiałach krystalicznych jest defektem:   punktowym  liniowym  powierzchniowym  5.0bwody magnetyczne i magnesy trwale wykonuje się z:   antyferromagnetyków diamagnetyków  paramagnetyków  6.Material na magnesy trwale metaliczne to:   czyste żelazo stal  hartowana  stal  krzemowa zimnowalcowana  7.Koniecznym składnikiem materiałów magnetycznych ferrytowych jest:   FeO  Fe203  NiO    8.Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest:   dodatni  ujemny  zerowy  9.Technologię sitodruku stosuje się przy wytwarzaniu układów scalonych:  

(…)

… powinien mieć małą wartość:
stratności
indukcji nasycenia
natężenia koercji
7. Koniecznym składnikiem materiałów magnetycznych ferrytowych jest:
FeO
Fe203
NiO
8. Przewodność elektryczna metali ma charakter:
pozytonowy
elektronowy
jonowy
9. Na połączenia przewodzące w układach elektronicznych scalonych stosuje się:
aluminium
miedź
karborund
10. Kanthal i superkanthal to materiały na rezystory:
techniczne…
... zobacz całą notatkę



Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz