Wydział Elektroniki Politechniki Wrocławskiej
Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych
Wykonał Grupa -
Ćw. nr 9
Prowadzący Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Data wyk. Data oddania Ocena I Pomiary
Napięcie przebicia
Uprzeb=142V
2) Charakterystyka prądowo napięciowa złącza wyspa - podłoże
R(zakres) [ kΩ ]
I [ mA ]
U [ mV ]
0.2
10
880
2
1
685
20
0,1
578
200
0,01
503
2000
0,001
440
20000
0,0001
15
Pojemność złącza wyspa-podłoże :
C=1,35pF
4) Zależność temperatury od mocy wytwarzanej w jednym z tranzystorów:
U[V]
I[mA]
UBE [ mV ]
T [ °C ]
P[mW]
2,27
2,80
813
23
6,356
4,25
2,98
812
25
12,665
6,18
3,10
811
27
19,158
8,16
3,24
810
29
26,438
10,10
3,38
809
31
34,138
12,28
3,70
806
37
45,436
14,30
4,05
804
41
57,915
16,15
4,37
800
49
70,576
18,06
4,89
796
57
88,313
20,19
5,43
791
79
109,632
22,10
6,57
783
87
145,197
II Obliczenia
I. Koncentracja domieszek oraz ruchliwość nośników większościowych .
Koncentrację domieszek odczytano z wykresu na podstawie znanych rezystywności materiałów(podanych w instrukcji) : Na=6*1014cm-3, Nd= 1015cm-3
(…)
…. Obliczenie rezystancji izolacji wyspy .
1) S= (200μm) +200μm*10μm = (200*10 m) +200*10 m*10*10 m = 42*10 m = 4,2*10 cm Prąd I płynący przez złącze przy polaryzacji wkierunku zaporowym jest sumą prądu nasycenia I oraz prądu generacji I : I=I +I , gdzie I wyraża się wzorem I = S*q*n a ponieważ
Składnik jest około pięciokrotnie mniejszy od to wyrażenie na I można przybliżyć następująco : I = S*q*n…
… jest szerokością warstwy zaporowej gdy bariera potencjału na złączu jest równa sumie napięcia dyfuzyjnego U i zewnętrznego napięcia polaryzującego złącze U .
d(U)= d(-10V) = =
=6,06*10 m =6,06 μm
d(-10V)=6,06 μm
d(0V)= =149,66*10 m=1,49 *10 m= 1,49μm
d(0V)= 1,49 μm
C(-10V)= =736,04*10 F = 0,736 pF
C(-10V)=0,736 pF
C(0V)= =2993,55 *10 F = 2,99 pF 3,0 pF
C(0V)= 3,0 pF
IV. Rezystancja podłoża R .
W celu obliczenia…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)