Złączowe tranzystory polowe

Nasza ocena:

3
Pobrań: 14
Wyświetleń: 420
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Złączowe tranzystory polowe - strona 1

Fragment notatki:

AGH, WIET
ELEMENTY ELEKTRONICZNE - LABORATORIUM
Rok 1 EiT
Nr ćwiczenia:
4
Temat:
Złączowe tranzystory polowe.
Data wykonania:
22-04-2013
Imię i nazwisko:
Mateusz Fundakowski Krystian Majer
Ocena:
Tranzystor polowy złączowy, JFET (ang. Junction Field-Effect Transistor) - jeden z rodzajów tranzystorów polowych. Tranzystor taki składa się z warstwy półprzewodnika typu N (tranzystor z kanałem typu N) lub typu P (tranzystor z kanałem typu P) oraz wdyfundowanej w nią, silnie domieszkowanej warstwy półprzewodnika przeciwnego typu (odpowiednio p+ i n+). Tak więc w tranzystorze tworzone jest złącze p-n. Na zewnątrz obudowy wyprowadzone są trzy końcówki: dren (ang. drain, ozn. D); źródło (ang. source, ozn. S) oraz bramka (ang. gate, ozn. G). Tranzystor polaryzuje się tak, ażeby nośniki większościowe (dziury w tranzystorach typu P, elektrony w tranzystorach typu N) przepływały od źródła do drenu. Natomiast złącze bramka-źródło polaryzuje się zaporowo. Transkonduktancję najprościej wyznacza się z charakterystyki przejściowej jako iloraz niewielkiego przyrostu prądu drenu do wywołującego tę zmianę przyrostu napięcia bramki lub też jako tangens nachylenia stycznej do charakterystyki w określonym jej punkcie, przy czym w tym przypadku należy uwzględnić podziałkę obu osi. Transkoduktancje dynamiczna wyznacza się metodą małosygnałową, mierząc składowe zmienne napięcia bramki i prądu drenu przy ustalonym punkcie pracy tranzystora. Stosuje się przy tym różne metody: mostkową, zerową, porównawczą, a najczęściej metodę opartą na pomiarze współczynnika wzmocnienia tranzystora unipolarnego w układzie ze wspólnym źródłem. Budowa tranzystora polowego: Zasadniczą częścią tranzystora polowego jest kryształ odpowiednio domieszkowanego półprzewodnika z dwiema elektrodami: źródłem (symbol S od ang. source, odpowiednik emitera w tranzystorze bipolarnym) i drenem (D, drain, odpowiednik kolektora). Pomiędzy nimi tworzy się tzw. kanał, którym płynie prąd. Wzdłuż kanału umieszczona jest trzecia elektroda, zwana bramką (G, gate, odpowiednik bazy). W tranzystorach epiplanarnych, jak również w przypadku układów scalonych, w których wytwarza się wiele tranzystorów na wspólnym krysztale, wykorzystuje się jeszcze czwartą elektrodę, tzw. podłoże (B, bulkalbo body), służącą do odpowiedniej polaryzacji podłoża
... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz