AGH, WIET
ELEMENTY ELEKTRONICZNE - LABORATORIUM
Rok 1 EiT
Nr ćwiczenia:
4
Temat:
Złączowe tranzystory polowe.
Data wykonania:
22-04-2013
Imię i nazwisko:
Mateusz Fundakowski Krystian Majer
Ocena:
Tranzystor polowy złączowy, JFET (ang. Junction Field-Effect Transistor) - jeden z rodzajów tranzystorów polowych. Tranzystor taki składa się z warstwy półprzewodnika typu N (tranzystor z kanałem typu N) lub typu P (tranzystor z kanałem typu P) oraz wdyfundowanej w nią, silnie domieszkowanej warstwy półprzewodnika przeciwnego typu (odpowiednio p+ i n+). Tak więc w tranzystorze tworzone jest złącze p-n. Na zewnątrz obudowy wyprowadzone są trzy końcówki: dren (ang. drain, ozn. D); źródło (ang. source, ozn. S) oraz bramka (ang. gate, ozn. G). Tranzystor polaryzuje się tak, ażeby nośniki większościowe (dziury w tranzystorach typu P, elektrony w tranzystorach typu N) przepływały od źródła do drenu. Natomiast złącze bramka-źródło polaryzuje się zaporowo. Transkonduktancję najprościej wyznacza się z charakterystyki przejściowej jako iloraz niewielkiego przyrostu prądu drenu do wywołującego tę zmianę przyrostu napięcia bramki lub też jako tangens nachylenia stycznej do charakterystyki w określonym jej punkcie, przy czym w tym przypadku należy uwzględnić podziałkę obu osi. Transkoduktancje dynamiczna wyznacza się metodą małosygnałową, mierząc składowe zmienne napięcia bramki i prądu drenu przy ustalonym punkcie pracy tranzystora. Stosuje się przy tym różne metody: mostkową, zerową, porównawczą, a najczęściej metodę opartą na pomiarze współczynnika wzmocnienia tranzystora unipolarnego w układzie ze wspólnym źródłem. Budowa tranzystora polowego: Zasadniczą częścią tranzystora polowego jest kryształ odpowiednio domieszkowanego półprzewodnika z dwiema elektrodami: źródłem (symbol S od ang. source, odpowiednik emitera w tranzystorze bipolarnym) i drenem (D, drain, odpowiednik kolektora). Pomiędzy nimi tworzy się tzw. kanał, którym płynie prąd. Wzdłuż kanału umieszczona jest trzecia elektroda, zwana bramką (G, gate, odpowiednik bazy). W tranzystorach epiplanarnych, jak również w przypadku układów scalonych, w których wytwarza się wiele tranzystorów na wspólnym krysztale, wykorzystuje się jeszcze czwartą elektrodę, tzw. podłoże (B, bulkalbo body), służącą do odpowiedniej polaryzacji podłoża
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)