To tylko jedna z 2 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
Opracowanie wyników
W ćwiczeniu badaliśmy zjawiska temperaturowe zachodzące w tranzystorach. Z użyciem aplikacji pomiarowej odczytaliśmy szereg wielkości opisujących stan tranzystora, które pozwoliły obliczyć rezystancję termiczną. Dla napięcia zasilającego równego 10V odczytaliśmy następujące parametry:
- prąd emitera ,
- prąd kolektora ,
- temperatura radiatora ,
- temperatura struktury krzemowej .
Korzystając z tych wielkości oraz ze schematu połączeń układu mogliśmy obliczyć:
- moc na złączu baza-emiter - moc na złączu baza-kolektor Całkowita moc wynosi więc w przybliżeniu .
Znając moc możemy obliczyć rezystancję termiczną ze wzoru:
Do stworzenia wykresu zależności współczynnika od temperatury posłużyliśmy się wzorem . Wyniki pomiarów przedstawia tabela:
Nap. Zasilania [V]
α
Temperatura [ ]
1
0,99426
25,5
173,216
2
0,99483
29,6
192,424
5
0,99539
40,3
215,920
10
0,99571
58,4
232,100
15
0,99619
76,4
261,467
20
0,99653
95,8
287,184
Poniżej znajduje się wykres zależności współczynnika wzmocnienia prądowego od temperatury wraz z wykreśloną przez komputer linią trendu:
Wnioski:
Dzięki zastosowaniu aplikacji pomiarowej wyznaczenie rezystancji termicznej sprowadza się do wstawienia kilku odczytanych wielkości do wzorów. Podczas ćwiczenia zauważyliśmy, że prawie cała moc tranzystora wydziela się na złączu baza-kolektor. Widać też, że zwiększanie napięcia zasilającego powoduje znaczny wzrost temperatury struktury krzemowej. Współczynnik α, czyli stosunek prądu kolektora do prądu emitera, nie ulega prawie żadnym zmianom pod wpływem temperatury. Na zmiany współczynnika α jest jednak podatny współczynnik (stosunek prądu kolektora do prądu bazy), można więc stwierdzić że zależy on od temperatury.
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)