Wyznaczanie charakterystyk prądowo napięciowych fotodiody

Nasza ocena:

5
Pobrań: 133
Wyświetleń: 4900
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Wyznaczanie charakterystyk prądowo napięciowych fotodiody - strona 1 Wyznaczanie charakterystyk prądowo napięciowych fotodiody - strona 2 Wyznaczanie charakterystyk prądowo napięciowych fotodiody - strona 3

Fragment notatki:

Pomiar natężenia prądu fotoelektrycznego IF przy podanych odległościach r[m]
Lp.
U [v]
I [A] dla r=0.1[m]
I [A] dla r=0.15[m]
I [A] dla r=0.2[m]
1
-5,00
2
-4,50
3
-4,00
4
-3,50
5
-3,00
6
-2,50
7
-2,00
8
-1,50
9
-1,00
10
-0,50
11
0,60
12
1,00
13
1,50
14
2,00
15
0,00
Pomiar natężenia prądu ciemnego IC
Lp.
U [v]
IC [A] 1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
13
14
15
16


(…)

… charakterystyk prądowo napięciowych fotodiody
Instytut Fizyki
Wstęp Teoretyczny
Dioda półprzewodnikowa, element elektroniczny wykorzystujący właściwości złącza p-n. Jeśli obszar p ma potencjał ujemny względem n (U<0), to dioda jest spolaryzowana zaporowo. Płynie wtedy przez nią bardzo mały prąd (prąd wsteczny IS), niezależny od wartości potencjału, aż do tzw. potencjału przebicia zenerowskiego (Upr). Jeśli obszar p ma potencjał dodatni względem obszaru n (U>0), oporność złącza p-n jest mała, możliwy jest już duży prąd przy małych napięciach. Właściwości złącza p-n w obszarze U>0 i U<0 ale U>Upr wykorzystywane są w diodach prostowniczych. Charakteryzują się one dużymi ujemnymi wartościami Upr i małymi wartościami IS. Wytwarza się je z wysokooporowego germanu lub krzemu. W radiotechnice i elektronice cyfrowej wykorzystuje się diody półprzewodnikowe wysokich częstotliwości i mikrofalowe diody półprzewodnikowe charakteryzujące się bardzo małymi pojemnościami złącza p-n. Wykonuje się je z niskooporowego germanu lub krzemu. W obszarze U<Upr działają diody Zenera (stabilitrony). Wykonuje się je z krzemu o starannie dobranej oporności właściwej, pozwalającej uzyskać diody stabilizujące napięcie w zakresie…
… lub antymonek galu. Półprzewodniki mają małą szerokość pasma wzbronionego (teoria pasmowa). Ze względu na typ przewodnictwa wyróżnia się półprzewodniki typu n - inaczej nadmiarowe (występuje tu przewodnictwo elektronowe, liczba elektronów w paśmie przewodnictwa przekracza liczbę dziur przewodzących w paśmie walencyjnym, uzyskuje się je przez domieszkowanie krzemu lub germanu pierwiastkami V grupy nazywanymi donorami) oraz typu p - inaczej niedomiarowe (występuje w nich przewodnictwo dziurowe w paśmie walencyjnym, liczba dziur przekracza liczbę elektronów w paśmie przewodnictwa, uzyskuje się je przez domieszkowanie krzemu lub germanu pierwiastkami III grupy nazywanymi akceptorami).
Przebieg ćwiczenia
A. Wyznaczanie charakterystyki prądowo-napięciowej fotodiody.
A1. Połączenie układu pomiarowego wg. schematu…
... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz