Technologia chemiczna - zagadnienia

Nasza ocena:

3
Pobrań: 161
Wyświetleń: 2128
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Technologia chemiczna - zagadnienia - strona 1 Technologia chemiczna - zagadnienia - strona 2

Fragment notatki:

III ROK TECHNOLOGIA CHEMICZNA – Zagadnienia do egzaminu NOM II (2007 r.)    KRYSTALIZACJA  1.  Otrzymywanie materiałów monokrystalicznych – krystalizacja z fazy gazowej, z  roztworu, ze stopu (wielkości określające odchylenie od stanu równowagi  termodynamicznej).  2.  Zmiany potencjału termodynamicznego w funkcji wielkości promienia zarodka.  3.  Zależność wielkości zarodka krytycznego od wielkości odchylenia od stanu  równowagi.  4.  Otrzymywanie polikryształów jedno- i wielofazowych metodą krystalizacji ze stopu  (kinetyka krystalizacji).  5.  Metody otrzymywania materiałów w postaci warstw – różnice pomiędzy metodami  CVD i PVD.  6.  Zjawiska fizyczne i procesy chemiczne zachodzące w procesie CVD  a)  transport masy  b)  reakcje chemiczne  7.  Zależność szybkości wzrostu warstw w procesie CVD od temperatury i szybkości  przepływu gazowych reagentów.  8.  Wpływ parametrów CVD na strukturę i morfologię warstw.    SPIEKANIE W FAZIE STAŁEJ  9.  Napięcie powierzchniowe i energia powierzchniowa – definicje. Wymienić i omówić  najważniejsze czynniki decydujące o wielkości energii swobodnych powierzchni.  10. Struktura granic międzyziarnowych. Energia niskokątowej granicy międzyziarnowej.  11. Spiekanie w fazie stałej w ujęciu modelowym – założenia modelu.  12. Samorzutność procesu spiekania. Całkowity spadek potencjału termodynamicznego.  13. Przegrupowanie ziaren – aspekty termodynamiczne (spadek  ΔG, siła napędowa),  strukturalne (zmiany upakowania ziaren).  14. Dyfuzja objętościowa: rozkład i wielkość naprężeń w szyjce międzyziarnowej,  związek naprężeń z dyfuzją. Mechanizm zagęszczania proszku.  15. Transport masy po swobodnych powierzchniach i przez fazę gazową podczas  spiekania. Przyczyny występowania obydwu procesów oraz skutki dla przebiegu  spiekania.  16. Kinetyka spiekania: miary postępu spiekania, równania kinetyczne.  17. Zależność szybkości spiekania od uziarnienia wyjściowego proszku.  18. Zależność szybkości spiekania od temperatury   a)  zależność wielkości całkowitych strumieni dyfuzji od temperatury,  b)  zależność szybkości spiekania od temperatury dla dyfuzji objętościowej  19. Rozrost ziaren jako proces termodynamicznie uwarunkowany, siła napędowa procesu  rozrostu, mechanizm rozrostu, prędkość przemieszczania się i ruchliwość granic  międzyziarnowych, kinetyka rozrostu ziaren. Hamowanie rozrostu ziaren.  20. Ewolucje porów podczas spiekania – analiza Kuczyńskiego i katastrofy topologicznej.  21. Spiekanie w fazie stałej rzeczywistych proszków ceramicznych – odstępstwa od  modelowego ujęcia. Omówić na tym tle zjawisko spowalniania ruchu granic przez  domieszki i pory.    SPIEKANIE Z UDZIAŁEM FAZY CIEKŁEJ „FIZYCZNE”  ... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz