Projektowanie wzmacniacza tranzystorowego OE - wykład

Nasza ocena:

3
Pobrań: 105
Wyświetleń: 2450
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Projektowanie wzmacniacza tranzystorowego OE - wykład - strona 1 Projektowanie wzmacniacza tranzystorowego OE - wykład - strona 2 Projektowanie wzmacniacza tranzystorowego OE - wykład - strona 3

Fragment notatki:

Projektowanie wzmacniacza tranzystorowego OE
Poniżej przedstawiono dwa przykłady projektu wzmacniacza tranzystorowego
pracującego w konfiguracji OE.
Pierwsze z zadań przedstawia projekt układu, którego zadaniem jest uzyskanie na
zadanej
wartości
rezystancji
obciążenia
wzmacniacza
określonej
amplitudy
niezniekształconego napięcia sinusoidalnego. Dodatkowo wyznaczone są parametry robocze
układu oraz podany został sposób ograniczenia pasma pracy wzmacniacza. Przeanalizowana
została także zmiana parametrów roboczych układu w przypadku braku pojemności
bocznikującej rezystor emiterowy (wprowadzenie lokalnego sprzężenia zwrotnego).
W zadaniu numer 2 zaprojektowano wzmacniacz tranzystorowy spełniający
następujące wymagania: określone wzmocnienie napięciowe, właściwości szumowe (dobór
punktu pracy) oraz zadane pasmo pracy układu.
Zadanie 1
Zaprojektować wzmacniacz tranzystorowy pracujący w konfiguracji OE (rys. 1),
którego minimalna amplituda napięcia wyjściowego będzie równa UWYmin = 1.5V dla
rezystancji obciążenia układu RL = 3kΩ. Częstotliwość dolna fd powinna wynosić 80Hz, a
częstotliwość górna fg = 200kHz. Wyznaczyć parametry robocze oraz górną częstotliwość
graniczną zaprojektowanego wzmacniacza w przypadku braku w układzie pojemności C3. W
układzie zastosować tranzystor BC527 II o parametrach: UBE = 0.65V, UCesat = 0.25V, β0 =
200, cb’c = 4.5pF, fT = 150MHz, rbb’ = 0. Rezystancja generatora jest równa Rg = 1kΩ.
Wszystkie wyznaczone wartości rezystancji i pojemności unormować do szeregu E24.
Rys. 1.1. Schemat projektowanego wzmacniacza tranzystorowego
Rozwiązanie
Aby na wyjściu wzmacniacza móc uzyskać określoną wartość niezniekształconej amplitudy
napięcia, przy zadanej wartości rezystancji obciążenia, należy odpowiednio dobrać punkt
pracy tranzystora (ICQ, UCEQ). Do określenia wartości prądu kolektora ICQ pomocna będzie
analiza zmiennoprądowa wyjścia wzmacniacza (rys. 1.2).
Rys. 1.2. Schemat zmiennoprądowy wzmacniacza: a) uwzględniający wszystkie elementy, b)
uproszczony poprzez uwzględnienie połączenia równoległego rezystancji
Przedstawione na rys. 1.2b rezystancje dane są następującymi zależnościami:
R B = R1 R2
(1.1)
Robc = R3 RL .
(1.2)
Analizując schemat z rys. 1.2b można napisać, korzystając z prawa Ohma, że:
i WY =
u WY
.
Robc
(1.3)
Rys. 1.3. Charakterystyki wyjściowe tranzystora z naniesionym punktem pracy i zmianami
napięcia UCE i prądu IC
Widzimy także z rys. 1.3, że maksymalna amplituda prądu wyjściowego i WY wzmacniacza jest
równa co do wartości prądowi tranzystora w punkcie pracy ICQ. Prądy iWY i ICQ mają
przeciwne zwroty. Korzystając z zależności (1.3) możemy wyznaczyć minimalną wartość
amplitudy prądu wyjściowego wzmacniacza, a co za tym idzie minimalną wartość prądu
kolektora tranzystora w punkcie pracy. Ponieważ nie znamy wartości rezystancji obciążenia
Robc, przed obliczeniami musimy założyć wartość rezystancji kolektorowej R3. Wartość
rezystancji R3 zakładamy w granicach pojedynczych kiloomów. Dla uproszczenia ... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz