Komputerowa symulacja bramki NAND TTL Charakterystyka przejściowa bramki NAND W celu uzyskania charakterystyki przejściowej branki NAND realizowanej w technice tranzystorowo - tranzystorowej należało dokonać serii pomiarów. Pomiary polegały na podaniu napięcia wejściowego z generatora następnie należało odczytać napięcie wejściowe i napięcie wyjściowe. W ten sposób mogliśmy zaobserwować jaki wpływ na napięcie wyjściowe mają tranzystory. Wyniki przedstawiam w tabeli 1 oraz na wykresie 1.
DC [V]
U IN [V]
U OUT [V]
Wykres 1.
0
0,05309
4,69
0,1
0,15186
4,68
0,2
0,25064
4,68
0,3
0,349421
4,686
0,4
0,448197
4,686
0,5
0,546858
4,66
0,6
0,645685
4,58
0,7
0,744394
4,437
0,8
0,843106
4,166
0,9
0,941811
3,857
1,0
1,04
3,544
1,1
1,139
3,23
1,2
1,238
2,893
1,3
1,336
2,177
1,31
1,346
2,018
1,32
1,356
1,832
1,33
1,366
1,617
1,34
1,375
1,37
1,35
1,385
1,092
1,36
1,395
0,76348
1,37
1,405
0,26827
1,38
1,409
0,005843
1,39
1,415
0,005877
1,4
1,421
0,00591
1,5
1,475
0,00626
2,0
1,83
0,00734
2,5
2,332
0,007367
3,0
2,829
0,007389
3,5
3,326
0,00741
4,0
3,823
0,007432
4,5
4,32
0,007454
5,0
4,818
0,007475
Tabela 1.
Charakterystyki w e jściowej bramki NAND Druga część ćwiczenia miała na celu uzyskanie charakterystyki wejściowej bramki NAND TTL. W tym celu dokonaliśmy serii pomiarów prądu i napięcia na wejściu bramki podając napięcie z generatora. Wyniki pomiarów i uzyskana charakterystyka przedstawione są w tabeli 2 i na wykresie 2.
(…)
…
0,843106
0,8621
0,9
0,941811
0,8362
1,0
1,04
0,8103
1,1
1,139
0,7844
1,2
1,238
0,7584
1,3
1,336
0,7304
1,4
1,421
0,4258
1,41
1,427
0,3415
1,42
1,432
0,2549
1,43
1,438
0,1666
1,44
1,443
0,0764
1,45
1,449
0
Tabela 2.
Wnioski
Charakterystyki przejściowa i wyjściowa uzyskane przez nas podczas symulacji komputerowej w programie TINA są zbliżone do charakterystyk teoretycznych. Pewne różnice mogą wynikać z rozbieżności budowy bramek i symulacji komputerowych. Przebieg zachowała swoje charakterystyczne punkty X i Z, chociaż względem osi OY charakterystyka przejściowa przesunęła się ku górze o ok. 0,5 [V] w stosunku do charakterystyki teoretycznej. Nachylenie przebiegu za punktem Z nie jest tak strome jak w przypadku przebiegu teoretycznego. Z przebiegu z łatwością jednak odczytujemy, że napięcie wejściowe…
…, dla którego przy niskim napięciu prąd wynosi ok. 1 [mA], natomiast dla wysokich napięć prąd jest bliski 0. Co zostało potwierdzone uzyskanym przez nasz przebiegiem.
Charakterystyka przejściowa bramki NAND TTL
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
0,05
0,25
0,45
0,65
0,84
1,04
1,24
1,35
1,37
1,39
1,41
1,42
1,48
2,33
3,33
4,32
UIN [V]
UOUT [V]
Charakterystyka wejściowa bramki NAND TTL
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000…
… zgodnie z logiką Boole'a ( W = A*B).
Przebieg charakterystyki wejściowej wykonany przez nasz zespół znajduje się w I ćwiartce układu współrzędnych. Jest on symetrycznym odbiciem przebiegu teoretycznego. Wzrost napięcia wejściowego prowadzi do spadku wartości prądu do 0, natomiast swoją największa wartość przyjmuje dla napięcia wejściowego UIN ≈ 0 [V]. Wartości te związane są z działaniem tranzystora T1…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)