1 Charakterystyka przejściowa bramki NAND L.p. Uwe [V] Uwy [V] 1 0,5
4,66
2 1,1
3,23
3 1,6
0,00666
4 2
0,00735
5 2,3
0,00736
6 2,93
0,00739
7 3,51
0,00741
8 4,01
0,00743
9 4,65
0,00746
10 5,82
0,00748
2 Charakterystyka wejściowa bramki NAND
L.p. Uwe [V] Iwe [mA] 1 -1,43
1,43
2 -1
1,32
3 0,053
1,06
4 1,04
0,81
5 1,53
-1,48
6 2,13
-3,33
7 2,88
-3,41
8 3,62
-3,5
9 4,42
-3,6
10 4,82
-3,64
3 Charakterystyka wyjściowa bramki NAND w stanie wysokim
L.p. Iwy [mA] Uwy [V] 1 0,374
3,73
2 0,414
3,73
3 0,495
3,71
4 0,57
3,71
5 0,709
3,69
6 0,895
3,67
7 1,22
3,65
8 1,81
3,61
9 3,53
3,53
10 37,83
0,378
4 Charakterystyka wyjściowa bramki NAND w stanie niskim
L.p. Iwy [mA] Uwy [V] 1 245,1
2,55
2 4,98
0,01794
3 2
0,01172
4 1,43
0,01052
5 1,04
0,0097
6 0,845
0,00929
7 0,713
0,00901
8 0,623
0,00882
9 0,554
0,00867
10 0,499
0,00855
Wnioski : Ćwiczenie polegało na przeprowadzeniu komputerowej analizy bramki logicznej NAND TTL. W czterech etapach dokonaliśmy serii pomiarów, które pozwoliły na stworzenie charakterystyk badanej bramki.
W pierwszej części ćwiczenia wyznaczyliśmy charakterystykę przejściową bramki NAND. Zwiększając wartość napięcia wejściowego obserwowaliśmy zmiany napięcia wyjściowego. Napięcie wejściowe zwiększaliśmy od 0 do ok. 5V. W drugiej części ćwiczenia przebieg charakterystyki wejściowej otrzymanej z pomiarów ma charakter malejący. Napięcie wejściowe zwiększaliśmy od -1 do ok 5V. Krzywa najpierw powoli maleje do wartości napięcia ok. 1 [V] aby następnie spadek przebiegał gwałtowniej do osiągnięcia wartości napięcia ok. 2,3 [V] i później znów łagodnie maleć. Różnica prądu między skrajnymi punktami napięcia wynosi 0,00498 [A].
(…)
… rosnący co również można zaobserwować na załączonych wykresach.
Wykonanie dobrze znanych przebiegów potwierdza zalety stosowania symulacji komputerowych w budowie układów elektronicznych. Jednocześnie zwraca to uwagę na różnice w działaniu modelu komputerowego i układu rzeczywistego.
…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)