To tylko jedna z 4 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
Badanie wzmacniacza oporowego Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest pomiar charakterystyk podstawowego układu wzmacniającego, jakim jest tranzystorowy wzmacniacz w połączeniu wspólnego emitera z rezystancyjnym obciążeniem kolektora.
Charakterystyki sta tyczne i parametry mieszane. Pracę tranzystora bipolarnego i jego zachowanie można przedstawić na tzw. charakterystykach statycznych. Charakterystyki statyczne są to krzywe, przedstawiające zależności między prądami i napięciami stałymi lub wolnozmiennymi na wejściu i wyjściu tranzystora. Rozróżnia się następujące charakterystyki: wejściową, wyjściową, prądową (przejściową), sprzężenia zwrotnego. Rozpatrzę tu charakterystyki statyczne tranzystora w układzie wspólnego emitera, jako że w ćwiczeniu tym tranzystor pracuje właśnie w takim układzie. Charakterystyki wyjściowe tranzystora w układzie WE są graficzną ilustracją równania I C =f(U CE ) (poniższy rysunek). Parametrem tej rodziny krzywych jest I B . Na charakterystykach wyjściowych można wyróżnić kilka obszarów związanych z polaryzacją złącza emiter - baza. W stanie nieprzewodzenia (odcięcia) złącze emiter - baza jest spolaryzowane w kierunku wstecznym (zaporowym). Przy zerowym prądzie bazy ( I B =0 ) w obwodzie kolektor - emiter płynie prąd nasycenia (zerowy) o niewielkiej wartości. W stanie aktywnym (przewodzenia aktywnego) złącze emiter - baza jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, zaś złącze kolektor - baza w kierunku wstecznym. W tym najpowszechniej wykorzystywanym obszarze charakterystyk tranzystor pracuje jako element wzmacniający. Praktyczne wykorzystanie stanu aktywnego tranzystora jest ograniczone m.in. dopuszczalnym napięciem kolektor - emiter U CEmax , dopuszczalnym prądem kolektora I Cmax oraz dopuszczalną mocą strat P cmax .
W stanie nasycenia obydwa złącza są spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Ten stan odpowiadający „zwarciu” na zaciskach kolektor - emiter charakteryzuje duża wartość prądu I C przy bardzo małych napięciach polaryzacji U CE .
Charakterystyki wejściowe tranzystora w układzie WE przedstawiają zależność U BE =f(I B ) przy napięciu U CE , które jest parametrem. Typową charakterystyka I B =f(U BE ) tranzystora n-p-n, w układzie WE przedstawiam poniżej. Jest ona odwróconą o 90° charakterystyką wejściową.
(…)
…] jest następujący:
- impedancja wejściowa przy zwartym wyjściu,
- współczynnik sprzężenia zwrotnego przy rozwartym wejściu,
- współczynnik wzmocnienia prądowego przy zwartym wyjściu
- admitancja wyjściowa przy rozwartym wejściu
2. Schemat zastępczy dla składowych zmiennych.
3. Charakterystyki częstotliwościowe wzmacniacza oporowego.
Charakterystyki częstotliwościowe informują o zależności współczynnika wzmocnienia od częstotliwości przy sinusoidalnym napięciu lub prądzie wejściowym. Tak więc charakterystyki można przedstawiać na skali arytmetycznej lub logarytmicznej. Wzmocnienie zależne od częstotliwości sygnału, czyli:
przedstawia się za pomocą charakterystyki amplitudowej. Zależność kąta Ψ od częstotliwości zwie się charakterystyką fazową:
Obie charakterystyki, a więc amplitudową i fazową można przedstawić w postaci wykresu na płaszczyźnie zespolonej, będącego miejscem geometrycznym punktów końcowych promienia o długości |KU| i kącie Ψ. Wykres taki nazywa się charakterystyką amplitudowo - fazową.
Charakterystyka amplitudowa jest prawie pozioma w paśmie otaczającym częstotliwość rezonansu pozornego ω0 oraz opadająca przy małych i dużych częstotliwościach. Częstotliwości graniczne to częstotliwości…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)