To tylko jedna z 4 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
Wydział Elektroniki Politechniki Wrocławskiej
Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych
Wykonał Pirosz Paweł
Andrzej Pieliński Grupa 9
Ćw. nr 1
Prowadzący dr Bober
Badanie tranzystora jednozłączowego
Data wykonania 99.04.28
Data oddania 99.05.12
Ocena WYKAZ PRZYRZĄDÓW :
Zasilacz napięciowy ZLS-3
Zasilacz napięciowy P317
Multimetr cyfrowy V560
Autotransformator
Rejestrator XY
Tranzystor jednozłączowy 2N2647:
Ip = 2 μA
Iv = 8 mA
PROGRAM ĆWICZENIA :
Wyznaczenie charakterystyki prądowo - napięciowej IE = f(UEB) tranzystora jednozłączowego.
Wyznaczenie zależności RB2B1 = f(IE).
Praca tranzystora jednozłączowego w układzie generatora relaksacyjnego.
PRZEBIEG ĆWICZENIA :
1. Wyznaczenie charakterystyki prądowo-napięciowej IE= f(UEB) tranzystora jednozłączowego
Pomiary przeprowadzane są w układzie przedstawionym na rysunku 1.
Rys. 1. Schemat pomiarowy do wyznaczania charakterystyki prądowo - napięciowej UJT
Wyniki pomiarów:
Dla UB2B1 = 0 [V] otrzymujemy charakterystykę złącza p-n (wykres 1), a więc nie można odczytać napięcia szczytu i doliny.
Z charakterystyki dla UB2B1 = 10,17 [V] (wykres 2) możemy odczytać:
- Up = 4,4 [V] - Uv = 0,4 [V]
Jednak aby otrzymać rzeczywistą wartość napięcia należy uwzględnić dzielnik napięcia jaki tworzy układ na wejściu szeregowo z rezystancją oscyloskopu 1MΩ. Wartość rzeczywistą wyznaczy się na podstawie zależności (patrz rys. 1):
Zatem rzeczywiste wartości napięć wynoszą:
- UP = 5,85 [V]
- UV = 0,53 [V]
Współczynnik podziału η wyliczamy na podstawie wzoru :
Podstawiając dane otrzymamy:
Z charakterystyki IE= f(UEB) dla UB2B1= 20,25 [V] (wykres 3) możemy odczytać:
- UP = 8,0 [V]
- UV = 2,0 [V]
Ponownie uwzględniając rezystancję wewnętrzną oscyloskopu Rw = 1MΩ, rzeczywiste wartości napięć mają wartość:
- UP = 10,64 [V]
- UV = 2,66 [V]
Współczynnik podziału η wyliczamy na podstawie wzoru :
(…)
… emitera wynosi 3,378kΩ.
W pkt. 3 ćwiczenia badaliśmy pracę UJT w układzie generatora relaksacyjnego. Przebieg napięcia emitera przedstawiony jest na wykresie 5. Ze względu na małą stałą czasową ładowania i rozładowania bazy mieliśmy problemy z zaobserwowaniem charakterystycznych „szpilek” na wyjściach bazy, które osiągają wartość od Uv do Up.
- 3 -
…
… charakterystyki mającej odcinek o ujemnej rezystancji przyrostowej umożliwia zastosowanie tranzystora jednoz*ączowego do budowy prostych uk*adów astabilnych. Z wykonanych charakterystyk można zauważyć, że napięcie przełączania nie jest liniowo zależne od napięcia międzybazowego. Wynika to z tego, że wewnętrzny współczynnik blokowania nie jest wartością stałą i zależy od wartości napięcia zasilającego, jest to spowodowane tym, że półprzewodnik jest elementem nieliniowym i jego konduktancja zależy od przyłożonego napięcia. Pomierzone wartości współczynnika (dla UBB = 10,17V, η = 0,523; dla UBB = 20,25V, η = 0,324) odbiegają od wartości katalogowych ( η = 0,68...0,82 ). Może to wynikać z mało dokładnej metody pomiarowej (przerysowywanie wykresów z ekranu oscyloskopu). Wyznaczenie napięcia Uv…
… przy użyciu omomierza przed zmontowaniem układu ). Przebieg napięcia emitera Uwy1 przedstawiony jest na wykresie 5.
Ze względu na trudność w zaobserwowaniu przebiegu napięć na bazach (wąskie szpilki) nie zamieszczamy ich kształtu na wykresach.
WNIOSKI I UWAGI:
W pkt. 1 ćwiczenia wyznaczaliśmy charakterystykę prądowo - napięciową IE = f (UE) UJT. Charakterystyka ta dla napięcia międzybazowego UBB = 0 [V…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)