technika cyfrowa - pamięci - omówienie

Nasza ocena:

3
Pobrań: 14
Wyświetleń: 679
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
technika cyfrowa - pamięci - omówienie - strona 1 technika cyfrowa - pamięci - omówienie - strona 2 technika cyfrowa - pamięci - omówienie - strona 3

Fragment notatki:

Pamięci
Podstawowe parametry:
1) pojemność – ilość informacji cyfrowej jak może być zgromadzona
2) długość (szerokość) pamiętanego słowa. Organizacja struktury
pamiętającej inf. – ilość bitów możliwych do obsłużenia naraz w
procesie zapisu/odczytu. Ilość tych słów wyznacza pojemność
3) czas dostępu - czas od rozpoczęcia operacji do zakończenia (od
odczytu pamięci do zapisania danych na magistrali danych).
Dodatkowe linie:
RAS  (Row Address Select) – pomagają wybierać wiersz
CAS  (Column Address Select) – pomagają wybierać kolumnę
Klasyfikacja pamięci:
ROM – Read Only Memory (tylko do odczytu)
RAM – Random Access Memory – dostęp swobodny (zapis/odczyt)
ROM:
1) Mask ROM
2) PROM
3) EPROM
4) EEPROM
5) EAPROM
1) Mask ROM – tylko do odczytu, w niej jest inf. o procesie produkcji,
dostęp do inf. zaraz po włączeniu. Dane nie ulegają utracie po
wyłączeniu zasilania, duża szybkość, niewielka pojemność
2) PROM – programowalna – sprzedawana jako czysta, programowanie
tylko raz poza układem cyfrowym, w którym ma pracować, działa jak
MaskROM, bardzo szybkie, niewielka pojemność
3) EPROM – Erasable Programmable ROM – możliwy zapis i kasowanie
wielokrotne, zmiana struktury poza systemem, na drodze elektrycznej.
Tranzystory z pływającą bramką, w stanie czystym same jedynki.
Kasowanie – naświetlanie UV – zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne w
tranzystorach, kasowanie całości. Programowanie – setki/tysiące razy.
Mogą mieć duże pojemności, nie są zbyt szybkie
4) EEPROM – elektrycznie kasowalne EPROMy, własności jak wyżej
5) EAPROM – możliwość wybiórczego kasowania i programowania,
kasowanie elektryczne
12
RAM:
1) DRAM
2) SRAM
1) DRAM – elementy pamiętające – wartość ładunku na kondensatorach.
Samo zasilanie nie wystarczy, kondensatory tracą ładunek – jest
konieczne odświeżanie informacji, inaczej na kondensatorach mogą
odłożyć się dowolne ładunki
2) SRAM – przerzutnik – element pamiętający – musi być utrzymana
wartość logiczna  konieczne zasilanie
Odczyt i zapis
Odczyt z ROM (lub SRAM):
1) ustawienie adresu (odwołanie się do pamięci) – linie adresowe (np. A0 ...
A14), ile linii – zależy od tego ile pamięci jest w systemie. Na podstawie
adresu zostaną zaktywowane linie MREQ lub im odpowiadające
2) CE/ (Chip Enable) – linie wyboru określonego układu pamiętającego,
aktywne stanem niskim
3) OE/ albo RD/ - Output Enable/Read – linie odczytu – ustawia akcję
odczytu
4) to wszystko wysyłane do układu pamiętającego na linię adresową (np.
D0 ... D7)
Zapis do SRAM
Wybór adresu i układu jak poprzednio, zmiana linii WRITE – dane z pamięci
muszą być ustawione przed ustawieniem linii WRITE w stan aktywny (przez
procesor lub układ DMA). Procesor lub DMA musi utrzymać dane przez czas
wymagany dla pamięci, ale bez zwrotu informacji o tym, że zapis się udał czy
nie.
Odczyt z DRAM:
Pojawiają się linie RAS i CAS
1) na magistrali adresowej jest podawany adres wiersza – jak się adres
ustawi, to
2) linia RAS przechodzi w stan aktywny (poziom niski) – potwierdzenie, że
na magistrali ... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz