podstawy technologii wytwarzania - opracowanie zagadnień

Nasza ocena:

3
Pobrań: 119
Wyświetleń: 693
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
podstawy technologii wytwarzania - opracowanie zagadnień - strona 1 podstawy technologii wytwarzania - opracowanie zagadnień - strona 2 podstawy technologii wytwarzania - opracowanie zagadnień - strona 3

Fragment notatki:

1.PORÓWNANIE TECHNOLOGII
a)TECHNOLOGIA PÓŁPRZEWODNIKOWA
-najdroższa ( długie serie tanie)
-najwyższa klasa czystości pomieszczeń
-najmniejsze wymiary ( nano , mikro) -elementy bierne i czynne, MEMS Micro Electro Mechanical Systems b)TECHNOLOGIA CIENKOWARSTWOWA -droga -średnia klasa czystości pomieszczeń
-wymiary mikro -głównie elementy bierne, sensory
c)TECHNOLOGIA GRUBOWARSTWOWA -najtańsza (krótkie serie niedrogie)
-wymiary mikro -elementy bierne, obudowy, sensory Technologie wzajemnie się uzupełnia 2.TECHNOLOGIA PLENARAN a) PROCESY PODSTAWOWE
-epitaksja - wzrost nowych warstw monokryształu na istniejącym podłoży krystalicznym -domieszkowanie
-nanoszenie kontaktów
b)PROCESY POMOCNICZE
-nanoszenie warstw maskujących
-fotolitografia
-trawienie
3.PRAWO MOORE'A - ilość tranzystorów zwiększa się około 2 razy co 24 miesiące
4.CZUJNIK+PROCESORY+AKTUATORY=MIKROSYTEMY
5.TECHNOLOGIA CIENKOWARSTWOWA Układy cienkowarstwowe najczęściej wytwarza się metodami nanoszenia w próżni (naparowywanie ni termiczne, rozpylanie) cienkich warstw przewodzących, rezystywnych i dielektrycznych na podłoża izolacyjne a (szkło, ceramika).
Inne metody osadzania warstw: -osadzanie elektrochemiczne -utlenianie anodowe -utlenianie termiczne -pyroliza (z fazy gazowej) -metoda Langmuira Blodgett (warstwy organiczne) 6.TECHNOLOGIA GRUBOWARSTWOWA
Układy grubowarstwowe wytwarza się nanosząc techniką sitodruku warstwy przewodzące, rezystywne i dielektryczne na podłoża izolacyjne (ceramika). Warstwy poddawane są następnie obróbce termicznej. a)Układy wysokotemperaturowe temperatura wypalania 700C - 1000C b)Układy niskotemperaturowe(polimerowe) temperatura utwardzania 100C - 350C c)ZALETY:
-niski koszt
-łatwość automatyzacji
-opłacalnośc któtkich seri
-miniauturyzacjia
-dobre własciwości elektryczne
-różnorodność wykonywanych elementów
-odporność na wysokie temperatury -wyrzymałość mechaniczna
d)ETAPY WYTWARZANIA:
I)PODŁOŻA *MATERIAŁY -ceramika alundowa
-ceramika AIN
-ceramika berylowa
-podłoża stalowe
*WŁAŚCIWOŚCI
-odporność na wys. Temp.
-izolacja elektr.


(…)


-odporność na wys. Temp.
-izolacja elektr.
-przewodność cieplna
-rozszerzalność termiczna
-wymiary geo.
II)PASTY
*SKŁADNIKI PODSTAWOWE:
-warstwy przewodzące (Au, Ag, Pd)
-warstwy rezystywne(RuO2, IrO2, Bi2Ru2O)
*SZKŁO
*NOŚNIK ORGANICZY
-rozpuszczalnik
-korekcja
-Zmniejszenie naprężeń pow.
-poprawa zwilżalności
-etyloceluloza
-przyczepność do podłoża po suszeniu w 120C
III)SUSZENIE - 10 min w 120C
IV)WYPALANIE - 10min w 850C
7. MCM - moduł wielostrukturowy
Struktura wielowarstwowa o bardzo dużej liczbie wewnętrznych połączeń elektrycznych pomiędzy nieobudowanymi układami scalonymi, głównie VLSI, połączonymi w dużą jednostkę funkcjonalną
8.PODZIAŁ UKŁADÓW MCM
a)MCM - C (Ceramics) -Zbudowane z podłoży ceramicznych wielowarstwowych współwypalanych lub wielowarstwowych układów grubowarstwowych na podłożu…
…: -metoda czochralskiego / zamykana cieczą
-metoda Birdgama/kierunkowa krystalizacja
-strefowe topnienie i krystalizacja metodą przesuwającej się strefy topnienia
15. METODA CZOCHRALSKIEGO:
a)Warunki
- materiał musi się topić nie zmieniając składu
- materiał nie może się rozkładać przed stopieniem
-nie mogą zachodzić przemiany fazowe w stanie stałym
-materiał nie może mieć dużej prężności par
b) Na proces…

-Półprzewodnik typu n (duża koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa)
-Półprzewodnik typu p (duża koncentracja dziur w paśmie walencyjnym)
21.Dyfuzja - aktywowany termicznie proces rozprzestrzeniania się atomów domieszki w
półprzewodniku
a)Pozwala kontrolować:
- typ przewodnictwa (w zależności od rodzaju domieszki)
- rezystywność warstwy (w zależności od parametrów procesu tj.: czas, temperatura, ilość…
… (laboratoryjne) zastosowanie (metale, „egzotyczne” materiały)
• Rozpylanie -Można kontrolować szereg parametrów procesu
- Można rozpylać wiele materiałów
- Dobra adhezja
-Skomplikowane i drogie urządzenia
-Możliwość uszkodzenia powierzchni podłoża
- Osadzanie elektrolityczne (+)Rożne metale (Au, Ni, itp.)
(+) Szybka > 10 mm
(+) Powstawanie bąbli wodoru
(-) Trudno osadzać sub-mm warstwy
(-) Niezbędna warstwa…
... zobacz całą notatkę

Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz