To tylko jedna z 5 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
Test 1.
Elektron to:
Elementarny nośnik ujemnego ładunku elektrycznego
Po grecku - bursztyn
Ładunek gromadzący się na pręcie szklanym pocierany jedwabiem
Ładunek gromadzący się na pręcie ebonitowym pocieranym wełną
Nośnik większościowy w półprzewodniku typu n
Półprzewodnik to materiał o charakterze:
Związku chemicznego o charakterze AIIIBV
Pierwiastkowym (atomy jednego pierwiastka z 7. gr. układu Mendelejewa)
Pierwiastkowym (atomy jednego pierwiastka z 4. gr. układu Mendelejewa)
Dwu lub więcej pierwiastków lub związków chemicznych , których skład ilościowy może zmieniać się w szerokich granicach
Ciało polikrystalicznego, składającego się z krystalitów o lokalnej periodyczności Kulomb to:
Jednostka ładunku w układzie SI
Francuski fizyk, twórca prawa fizycznego o oddziaływaniu wzajemnych ładunków
Jednostka pojemności w układzie SI
Jednostka ładunku gromadzącego się na powierzchni ciała stałego, pozwalająca na określenie tzw. powierzchniowej gęstości ładunku
Ładunek, który przepływa w ciągu 1 s przez przekrój poprzeczny przewodnika w którym płynie prąd o natężeniu równym 1 A
Rezystancja zastępcza szeregowo połączonych rezystorów R1, R2,R3 o rezystancjach odpowiednio 10k, 20k i 30k wynosi:
30k
6000k
60k
15k
1/60k
Nośniki ładunku w materiale półprzewodnikowym ulegają:
Bezwładnym ruchom cieplnym
Ruchom skierowanym
Działaniu pola E, nakładającego się na chaotyczny ruch cieplny
Dyfuzji w wyniku działania pola elektrycznego E
Dyfuzji pod wpływem gradientu koncentracji nośników ładunku
Test 2.
Półprzewodnik to:
Materiał nieorganiczny lub organiczny o rezystywności poniżej 10-6Ωm
Materiał nieorganiczny lub organiczny o rezystywności powyżej 106Ωm
Materiał nieorganiczny lub organiczny o rezystywności 10-6 - 106Ωm
Rezystywność półprzewodnika zależy od temperatury, oświetlenia, stopnia czystości
Materiał o szerokości pasma zabronionego mniejszego od 5eV
Defekt strukturalny to:
Nieprawidłowe rozmieszczenie atomów w sieci krystalicznej
Atomy obce w węzłach lub położeniach międzywęzłowych sieci krystalicznej
Wakanse, węzły sieci krystalicznej przypadkowo nieobsadzone przez właściwe atomy Lokalna zmiana składu chemicznego materiału rodzimego To atom lub grupa atomów, powodująca lokalną zmianę sieci krystalicznej materiału półprzewodnikowego, skutkująca poprawą jakości kryształu
(…)
…
Jednostka pojemności w układzie SI
Jednostka ładunku gromadzącego się na powierzchni ciała stałego, pozwalająca na określenie tzw. powierzchniowej gęstości ładunku
Ładunek, który przepływa w ciągu 1 s przez przekrój poprzeczny przewodnika w którym płynie prąd o natężeniu równym 1 A
Dla dzielnika napięcia jak na rysunku UWY będzie wynosiło, gdy UWE= ????? R1=???Ω, R2 = 68 Ω
5,91 V
59,1 V <- miałem tą grupę i pamiętam
0,591 V
47 V
68 V
Półprzewodnik domieszkowy typu p:
Półprzewodnik domieszkowany atomami pochodzącymi z III gr. układu okresowego pierwiastków
Półprzewodnik domieszkowany atomami pochodzącymi z V gr. układu okresowego pierwiastków
Półprzewodnik domieszkowany atomami boru (B), glinu (Al) ..?...
Półprzewodnik , którym w T=300K wszystkie atomy domieszki akceptorowej są zjonizowane
Półprzewodnik…
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)