Badanie pamięci typu EPROM i RAM

Nasza ocena:

5
Pobrań: 14
Wyświetleń: 616
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Badanie pamięci typu EPROM i RAM - strona 1 Badanie pamięci typu EPROM i RAM - strona 2 Badanie pamięci typu EPROM i RAM - strona 3

Fragment notatki:

Badanie pamięci typu
EPROM i RAM
Pamięci służą do przechowywania informacji i udostępniania jej do dalszego przetwarzania. Informacja w postaci bitowej (jako zera i jedynki) jest zapisywana w uporządkowanym zbiorze elementarnych komórek pamięci- każdy bit informacji w osobnej komórce. Każda komórka ma określony adres. Dostęp do danych zmagazynowanych w pamięci możliwy jest poprzez ustawienie na szynie adresowej odpowiedniego adresu i odczytanie słowa 8-mio (w zależności od organizacji pamięci) bitowego z szyny danych.
Pamięć EPROM Są to pamięci nieulotne programowalne elektrycznie. Zbudowane są z tranzystorów typu FAMOS, w których zapis informacji następuje przez ładowanie tzw. pływającej bramki z krzemu polikrystalicznego za pomocą wstrzykiwania lawinowego nośników pod wpływem stosunkowo dużego napięcia dren-bramka. Tak zmagazynowany ładunek utrzymuje się przez kilkanaście lat. Naładowana bramka oznacza powstanie stanu przewodzenia tranzystora, a brak ładunku - stan zatkania. Rozładowanie ładunku pływającej bramki, czyli wykasowanie zapamiętanej informacji jest możliwe w procesie naświetlania struktury promieniami nadfioletowymi o dużej energii przez określony czas. Rysunek przedstawia wyprowadzenia układu scalonego pamięci 27C256 o pojemności 256kbit. Opis wyprowadzeń:
A0-A14 bity adresowe
O0-O7 bity danych
OE otwarcie wyjść
CE impuls programujący
VPP napięcie programowania
Pamięć RAM Pamięci tego typu nazywane są także pamięciami o dostępie swobodnym. Pamięć ta charakteryzuje się tym, że po zaniku zasilania wszystkie zapisane w niej dane zostają bezpowrotnie utracone. Ma jednak tą zaletę, że można do niej zapisywać dane, a następnie zmagazynowaną informację na bieżąco modyfikować jakichś specjalnych zbiegów. Organizacja tej pamięci jest 8-mio bitowa, tzn. że każdy odczyt z pod dowolnego adresu daje nam bajt na wyjściach szyny danych. Konstrukcyjnie pamięć ta składa się ze struktur przerzutników RS. Na poniższym rysunku przedstawiono opis wyprowadzeń kości pamięci typu 64C256. Opis wyprowadzeń:
A0-A14 bity adresowe
... zobacz całą notatkę



Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz