To tylko jedna z 3 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
1. Materiały dla optoelektroniki
Podstawowe materiały na diody elektroluminescencyjne
Kolor
Materiał
Typ przejścia
Podczerwień
GaAs
proste
Czerwony
GaP(Zn,O)
GaAs0,6P0,4
Al0,3Ga0,7As
skośne
proste
proste
Pomarańczowy
GaAs0,35P0,65
Ga0,7In0,3P
skośne
proste
Żółty
GaAs0,15P0,85:N
GaInN:Mg
GaP:N++
skośne
proste
skośne
Zielony
GaP:N
(In,Ga)N:Mg
skośne
proste
Niebieski
(In,Ga)N:Mg
proste
Fioletowy
GaN:Mg
proste
Ultrafiolet
GaN:Mg
proste
Biały
GaN + luminofor
proste
8
Podstawowe właściwości związków półprzewodnikowych AIIIBV
Temp.
topnienia
[°C]
Eg
[eV]
AlN
GaN
InN
2400
1700
1100
5,88
3,4
1,95
-300
--
-
2,2
2,4
2,9
AlP
GaP
InP
2000
1467
1070
2,45
2,26
1,35
80
190
4600
30
120
150
3,0
3,45
3,45
AlAs
GaAs
InAs
1770
1238
942
2,16
1,43
0,36
280
9500
33000
-450
460
3,2
3,65
3,52
AlSb
GaSb
InSb
1060
710
525
1,58
0,72
0,18
200
4000
78000
550
1400
750
3,4
3,8
4,0
Związek
półprzewodnikowy
μn
μp
Współczynnik
2
2
[cm /Vs] [cm /Vs] załamania n
Masa cząsteczkowa AlBV
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)