To tylko jedna z 3 stron tej notatki. Zaloguj się aby zobaczyć ten dokument.
Zobacz
całą notatkę
Ćwiczenie 27
Wymień znane Ci techniki realizacji bramek. Wymień ich wady i zalety.
RDL - technika rezystorowo-diodowa - bramki wykonane techniką RDL nie zapewniają wykonania funkcji negacji, zatem nie mogą tworzyć systemu funkcjonalnie pełnego.
Wady:
Posiadają cechy uniemożliwiające szeregowe łączenie wielu bramek
Istnienie „przezroczystości” - każde obciążenie wyjścia jest widziane przez sygnał wejściowy, co powoduje małą obciążalność bramki
Mała szybkość działania układu z uwagi na stosunkowo dużą wartość rezystancji rezystora
RTL - technika rezystorowo-tranzystorowa
Wady:
Relatywnie duży prąd wejściowy bramki przy wysokim poziomie na wejściu, powodujący zmniejszenie marginesu zakłóceń przy zwiększeniu liczby sterowanych bramek
Zalety:
Niska cena
DTL - technika diodowo-tranzystorowa
TTL - technika tranzystorowo-tranzystorowa - są to popularne układy cyfrowe, stosowane od lat sześćdziesiątych
Wady:
Niewystarczająca częstotliwość pracy (seria 74) [seria 74 została później udoskonalana, a powstałe w ten sposób serie miały swoje wady i zalety]
Zalety:
Bardzo duży asortyment tych układów
Obciążalność równa 10
CMOS
Co to jest obciążalność bramki?
Obciążalność bramki (N) - jest to liczba możliwych do wysterowania wejść innych bramek tego samego typu przez wyjście pojedynczej bramki. Dla bramki standardowej TTL mamy:
Dla stanu wysokiego Dla stanu niskiego Obciążalność wynosi Podaj podstawowe parametry elementów logicznych w technice TTL.
Napięcie zasilania: Napięcie wyjściowe na poziomie L: Napięcie wyjściowe na poziomie H: Graniczne napięcie wejściowe dla stanu L: Graniczne napięcie wejściowe dla stanu H: Gwarantowane parametry marginesu zakłóceń:
Obciążalność bramki dla stanu wysokiego: Obciążalność bramki dla stanu niskiego: Narysuj schemat budowy bramki NAND zrealizowany w technice TTL. W jakich stanach są poszczególne tranzystory przy wysokim i niskim poziomie na wyjściu bramki?
Jeżeli na którymkolwiek wyjściu (emiterze) jest stan niski, to tranzystor nasyca się, a na jego kolektorze też jest stan niski. Stan wysoki jest jedynie wtedy, gdy wszystkie wyjścia są w stanie wysokim.
Narysuj i opisz charakterystykę przejściową bramki NAND TTL.
Punkt X na charakterystyce przejściowej odpowiada napięciu wejściowemu ok. 0,65V. Napięcie na bazie tranzystora T1 jest wtedy równe ok. 1,3V, co oznacza zapoczątkowanie przewodzenia tranzystora T2 wskutek oddziaływania napięcia wejściowego przez przewodzące złącze emiter-baza transformatora T1 i przepływ prądu kolektora. Nachylenie charakterystyki przejściowej między punktami X i Z równe jest w przybliżeniu -1,6 V/V. Tranzystor T3 w układzie wtórnika emiterowego powtarza zmiany napięcia zachodzące na kolektorze T3.
... zobacz całą notatkę
Komentarze użytkowników (0)