Mgr Sylwia Góralski - strona 4

note /search

Szeregowy układ rezonansowy - badanie

  • Politechnika Warszawska
  • Elektronika
Pobrań: 63
Wyświetleń: 413

Naszym pierwszym zadaniem było badanie szeregowego układu rezonansowego. Ćwiczenie rozpoczęliśmy od ustawienia generatora funkcyjnego w pozycji 10kHz i wybrania funkcji sinus sektora funkcyjnego. Ustawiliśmy napięcie wyjściowe generat...

Symulacja zakłóceń elektromagnetycznych

  • Politechnika Warszawska
  • Elektronika
Pobrań: 98
Wyświetleń: 882

SYMULACJA ZAKŁÓCEN ELEKTROMAGNETYCZNYCH Celem ćwiczenia było zbadanie wpływu zakłóceń na transmisję cyfrową. Stanowisko laboratoryjne do tego ćwiczenia było środowiskiem wirtualnym zbudowane w programie Tina. Układ, z którego korzystaliśmy zbudowany był z generatora napięcia VG2, generatora zakłó...

Tranzystor unipolarny

  • Politechnika Warszawska
  • Elektronika
Pobrań: 91
Wyświetleń: 966

TRANZYSTOR UNIPOLARNY 1. Tabele z wartościami I D [mA] i U DS [V] dla U GD = const. , oraz wykres zbiorczy charakterystyk wyjściowych . I D [mA](int) 10 40 80 100 120 150 180 200 220 250 I D [mA] 9 39 83 101 124 150 184 204...

Tranzystory - zagadnienia teoretyczne

  • Politechnika Warszawska
  • Elektronika
Pobrań: 21
Wyświetleń: 756

Teoria: Tranzystory unipolarne , inaczej polowe, są to przyrządy półprzewodnikowe, ich działanie polega na sterowaniu prądem przez nie przepływającym za pomocą pola elektrycznego. Działanie tych tranzystorów zależy wyłącznie od przepływu nośn...

Układ regulacyjny stabilizatora - pomiary

  • Politechnika Warszawska
  • Elektronika
Pobrań: 14
Wyświetleń: 784

UKŁAD REGULACYJNY STABILIZATORA 1. Pomiary oraz rodzina charakterystyk dla układu a napięcia stabilizacji w funkcji rezystancji, przy stałym napięciu wejścia. Tabela 1 R [k ] 0,1 1 10 U0 [V] 9,34 9,45 9,51 dla Uwe = 14 [V] Tabela 2 R [k ] 0,1 1 10 U0 [V] 9,39 9,43 9,51 dla Uwe =...

Zasada działania tranzystora JFET

  • Politechnika Warszawska
  • Elektronika
Pobrań: 35
Wyświetleń: 651

Zasada działania tranzystora JFET     Zasadę działania opisują poniższe rysunki:     Jednorodny obszar półprzewodnika występujący między drenem i źródłem stanowi kanał, przez który płynie prąd i którego rezystancję można zmieniać przez zm...