Wykład - praca impulsowa tranzystora bipolarnego

Nasza ocena:

3
Pobrań: 84
Wyświetleń: 1841
Komentarze: 0
Notatek.pl

Pobierz ten dokument za darmo

Podgląd dokumentu
Wykład - praca impulsowa tranzystora bipolarnego - strona 1 Wykład - praca impulsowa tranzystora bipolarnego - strona 2 Wykład - praca impulsowa tranzystora bipolarnego - strona 3

Fragment notatki:

Wydział Elektroniki Politechniki Wrocławskiej
Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych
Wykonał Pirosz Paweł
Grupa 9
Ćw. nr 10
Prowadzący dr Bober
Praca impulsowa tranzystora bipolarnego
Data wykonania 99.03.31
Data oddania 99.04.14
Ocena WYKAZ PRZYRZĄDÓW :
Generator impulsowy
Multimetr cyfrowy V560
Oscyloskop dwukanałowy TEKTRONIX TDS210
Zasilacz P317
Tranzystor BC 211:
UCE0 = 40 [V]
UEB0 = 5 [V]
UCB0 = 80 [V]
ICmax = 1000 [mA]
Pa = 800 [mW]
h21E = 400 - 100
CEL ĆWICZENIA :
Poznanie własności tranzystora bipolarnego w warunkach pracy impulsowej. Pomiar czasów przełączania tranzystora bipolarnego podczas pracy impulsowej. Określenie wpływu warunków pracy na czasy przełączania.
PRZEBIEG ĆWICZENIA :
Pomiary wykonujemy w układzie pokazanym na rysunku poniżej.
Rys.1. Schemat układu pomiarowego
1. Wyznaczenie punktu pracy i parametrów statycznych tranzystora
Wartości użytych rezystorów wynoszą:
RB = 5,6 [kΩ]
RC = 470 [Ω]
Napięcie zasilające UCC ma wartość:
UCC = 14,43 [V]
Przy częstotliwości generatora 100 Hz i czasie trwania impulsu 1 ms określamy minimalną wartość napięcia wejściowego UA potrzebną do nasycenia badanego tranzystora (jest to taka wartość napięcia wejściowego, przy której napięcie na kolektorze tranzystora w chwili włączenia spada praktycznie do zera).
Wartość ta wynosi:
UA = 2,44 [V]
Napięcie kolektor - emiter tranzystora wynosi:
UCE = 14,2 [V]
Mając dane UA i przyjmując UBE = 0,7 V wyliczamy minimalny prąd bazy IBmin:
Podstawiając dane otrzymujemy:
Prąd kolektora obliczymy na podstawie zależności:
Podstawiając dane uzyskujemy:
Znając wartość IBmin oraz IC określamy współczynnik wzmocnienia tranzystora ze wzoru:


(…)

… współczynnik wzmocnienia tranzystora ze wzoru:
Podstawiając dane otrzymujemy:
2. Pomiar czasów przełączania tranzystora bipolarnego
Czasy przełączania tranzystora definiuje się w następujący sposób:
Rys. 2. Definicje czasów przełączania tranzystora bipolarnego
przy czym:
τd - czas opóźnienia
τr - czas opadania
τst - czas magazynowania τf - czas narastania
τd + τr = τON - czas załączenia
τst + τf = τOFF - czas…
... zobacz całą notatkę



Komentarze użytkowników (0)

Zaloguj się, aby dodać komentarz