Elektronika Sprawozdania9

Wstęp notatki wygenerowany automatycznie

...POLITECHNIKA ŚWIETOKRZYKRZYSKA WYDZIAŁ ELEKTRONIKI, AUTOMATYKI I INFORMATYKI Laboratorium: Podstawy Elektroniki Ćwiczenie nr 9 Temat: Badanie Grupa: 111B tranzystorów MOS Do grupy tranzystorów unipolarnych należą tranzystory z izolowaną bramką (IGFET). W obrębie rodziny tranzystorów IGFET wyróżniamy: • tranzystory MIS (ang. Meta l– Insulator – Semiconductor, co oznacza układ: meta l –izolator – półprzewodnik) • tranzystory cienkowarstwowe TFT Szczególnym przypadkiem tranzystorów MIS s tranzystory MOS (ang. Meta – Oxide– Semiconductor, co oznacza układ: metal – tlenek – półprzewodnik). Są one używane nieporównywalnie częściej ni tranzystory cienkowarstwowe. Pomiary Pomiar charakterystyki przejściowej ID = f(UGS)UDS= const. Lp.UB= 0V UDS= -3VUB= 0V UDS= -6V UGS[V] ID[mA] UGS[V] ID[mA] 1.0 0 0 0 2. 4,2 0,05 4,5 0,1 3. 4,5 0,11 5,1 0,5 4. 4,7 0,2 5,7 1 5. 5,2 0,5 7 3,10 6. 5,8 1 8,5 6,15 7. 6,5 2 10 10,15 8. 7 2,76 11 12,96 9. 9 6,24 12 15,65 10.10 8 13 18,1 11.12 10,95 14 20 12.15 14,45 - - Pomiar charakterystyki wyjściowej ID = f(UDS)UGS= const. Lp.UB= 0V UGS= -6VUB= 0V UGS= -8VUB= V UGS= -10V UDS[V] ID[mA] UDS[V] ID[mA] UDS[V] ID[mA] 1. 0 0 0 0 0 0 2. 1 1,03 1 2,35 1 3,51 3. 2 1,20 2 3,75 2 6,92 4. 4 1,33 4 4,66 3 7,71 5. 5 1,38 5 4,82 ...