Elektronika Sprawozdania6

Wstęp notatki wygenerowany automatycznie

...POLITECHNIKA ŚWIETOKRZYKRZYSKA WYDZIAŁ ELEKTRONIKI, AUTOMATYKI I INFORMATYKI Laboratorium: Podstawy Elektroniki Ćwiczenie nr 6 Temat: Badanie Grupa: 111B tranzystorów bipolarnych typu p-n-p Tranzystor bipolarnym zwany też warstwowym, stanowi kombinacją dwóch półprzewodnikowych złączy p-n, wytworzonych w jednej płytce półprzewodnika. Procesy zachodzące w jednym złączu oddziałuję na drugie, a nośnikami ładunku elektrycznego s_ dziury i elektrony. Tranzystory bipolarne wykonywane są najczęściej z krzemu, rzadziej z germanu. Ze względu na kolejność ułożenia warstw półprzewodnika rozróżniamy: • tranzystory n-p-n • tranzystory p-n-p Mogą one być z: • jednorodną bazą (dyfuzyjny), • niejednorodną bazą (dryfytowy). Zasada działania tranzystora n-p-n i p-n-p jest jednakowa, różnice występuję tylko w polaryzacji zewnętrznych źródeł napięcia i kierunku przepływu prądów. Tranzystor bipolarny składa się z trzech obszarów o przeciwnym typie przewodnictwa, co powoduje powstanie dwóch złączy: p-n i n-p. W tranzystorze bipolarnym poszczególne obszary półprzewodnika mają swoją nazwę: B – baza, E – emiter, C – kolektor. A złącza nazywa się • złączem emiterowym (złącze emiter-baza); • złączem kolektorowym (złącze baza-kolektor). Obliczenia Wyznaczanie parametrów He w układzie wspólnej bazy w punkcie P(IB; UCE). Dla punktu P(20μA; 4V); P1(5μA; 4V); P2(40μA; 4V); P3(20μA; 5V); P4(20μA; 3V); Obliczanie parametrów Hb w układzie wspólnej bazy i Hc w układzie wspólnego kolektora. • Dla układu WB [pi...