Elektronika Sprawozdania5

Wstęp notatki wygenerowany automatycznie

...POLITECHNIKA ŚWIETOKRZYKRZYSKA WYDZIAŁ ELEKTRONIKI, AUTOMATYKI I INFORMATYKI Laboratorium: Podstawy Elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: Badanie Grupa: 111B tranzystorów bipolarnych typu n-p-n Tranzystor bipolarnym zwany też warstwowym, stanowi kombinacją dwóch półprzewodnikowych złączy p-n, wytworzonych w jednej płytce półprzewodnika. Procesy zachodzące w jednym złączu oddziałuję na drugie, a nośnikami ładunku elektrycznego s_ dziury i elektrony. Tranzystory bipolarne wykonywane są najczęściej z krzemu, rzadziej z germanu. Ze względu na kolejność ułożenia warstw półprzewodnika rozróżniamy: • tranzystory n-p-n (rys.1a), • tranzystory p-n-p (rys.1b). Mogą one być z: • jednorodną bazą (dyfuzyjny), • niejednorodną bazą (dryfytowy). Zasada działania tranzystora n-p-n i p-n-p jest jednakowa, różnice występuję tylko w polaryzacji zewnętrznych źródeł napięcia i kierunku przepływu prądów. Tranzystor bipolarny składa się z trzech obszarów o przeciwnym typie przewodnictwa, co powoduje powstanie dwóch złączy: p-n i n-p. W tranzystorze bipolarnym poszczególne obszary półprzewodnika mają swoją nazwę: B – baza, E – emiter, C – kolektor. A złącza nazywa się • złączem emiterowym (złącze emiter-baza); • złączem kolektorowym (złącze baza-kolektor). Struktura półprzewodnikowa tranzystora jest umieszczana w hermetycznie zamkniętej obudowie metalowej, ceramicznej lub plastykowej. Obudowa ta chroni przed uszkodzeniami mechanicznymi, również spełnia inne funkcje, np. w tranzystorach średniej i dużej mocy umożliwia skuteczne odprowadzenie ciepła. Lp. IB=5µA IB=10µA IB=15µA IB=20µA IB=25µA IB=30µ...